[发明专利]综合传感器的高速无线数据传输模块在审
申请号: | 201810050499.5 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN108039040A | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 叶有福 | 申请(专利权)人: | 浙江勇拓电气科技有限公司 |
主分类号: | G08C17/02 | 分类号: | G08C17/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325600 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 综合 传感器 高速 无线 数据传输 模块 | ||
1.综合传感器的高速无线数据传输模块,其特征在于,包括依次连接的MCU单元、高频发射单元、以及天线;
所述MCU单元用于接收来自综合传感器的多种信号,并且用于将其中的模拟量信号转换成数字量信号后发送至所述高频发射单元;
所述高频发射单元用于接收所述数字量信号,并且用于通过所述天线进行发送。
2.根据权利要求1所述的综合传感器的高速无线数据传输模块,其特征在于,所述MCU单元包括芯片IC1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、以及晶振M1;
所述电阻R1的一端和所述电容C1的一端相连,所述电阻R1的另一端连接VCC电压,所述电容C1的另一端接地,所述电阻R1和所述电容C1的公共接点提供所述芯片IC1连接;
所述电容C2、所述电容C3、以及所述晶振M1构成晶振单元,所述晶振单元提供所述芯片IC1连接;
所述电容C4的一端提供所述芯片IC1连接,所述电容C4的另一端接地;
所述电阻R4、所述电阻R5、所述电阻R6、所述电阻R7、所述电阻R8、以及所述电阻R9构成排阻单元,所述排阻单元提供所述芯片IC1连接;
所述电阻R2的一端连接所述电阻R4,所述电阻R2的另一端连接VCC电压,所述R3的一端连接所述电阻R5,所述电阻R3的另一端连接VCC电压,所述电阻R10的一端连接所述电阻R8,所述电阻R10的另一端连接VCC电压,所述电阻R11的一端连接所述电阻R9,所述电阻R11的另一端连接VCC电压。
3.根据权利要求1所述的综合传感器的高速无线数据传输模块,其特征在于,所述高频发射单元包括芯片IC2、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19、电容C20、电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电阻R12、电感L1、电感L2、电感L3、晶振M2、以及晶振M3;
所述电容C5、所述电容C6、所述电容C7、所述电容C8、所述电容C9、所述电容C10、所述电容C11、所述电容C12均一端通过所述电感L1连接VCC电压,另一端接地;其中所述电容C5、所述电容C6、所述电容C7、所述电容C8、所述电容C9、所述电容C10、所述电容C11、所述电容C12的一端还分别连接所述芯片IC2;
所述电容C19的一端连接所述芯片IC2,所述电容C19的另一端接地;所述电阻R12的一端连接所述芯片IC2,所述电阻R12的另一端接地;所述电容C20的一端连接所述芯片IC2,所述电容C20的另一端接地;
所述电容C21、所述电容C22、所述晶振M2构成一晶振单元,所述电容C23、所述电容C24、所述晶振M3构成另一晶振单元,两个所述晶振单元分别提供所述芯片IC2连接。
4.根据权利要求1所述的综合传感器的高速无线数据传输模块,其特征在于,所述MCU单元的接地端和所述高频发射单元的接地端隔离。
5.根据权利要求4所述的综合传感器的高速无线数据传输模块,其特征在于,所述MCU单元和所述高频发射单元之间通过外设磁场进行磁信号隔离。
6.根据权利要求5所述的综合传感器的高速无线数据传输模块,其特征在于,所述外设磁场的磁场强度从所述高频发射单元所在位置到所述MCU单元所在位置减小。
7.根据权利要求1所述的综合传感器的高速无线数据传输模块,其特征在于,所述天线为2.4G高频天线。
8.根据权利要求1所述的综合传感器的高速无线数据传输模块,其特征在于,所述MCU单元和所述高频发射单元的工作速率不小于20毫秒内传输256点。
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