[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明的目的是提供一种使等离子体处理的均匀性提高的等离子体处理装置。该等离子体处理装置利用用于生成等离子体的高频电力来将供给到腔室内的气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有：台，其以第一电极与第二电极分离的方式形成，该第一电极在上部载置基板，该第二电极在上部设置聚焦环且该第二电极设置于所述第一电极的周围；第一高频电源，其向所述第一电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第一高频电力；第二高频电源，其与所述第一高频电源独立地设置，向所述第二电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第二高频电力；以及控制部，其独立地控制所述第一高频电源和所述第二高频电源。

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

已知用于使等离子体处理的均匀性提高的各种技术(例如参照专利文献1、2)。例如，在专利文献1中公开了一种如下的技术：根据在等离子体处理时消耗的聚焦环的消耗量来控制阻抗调整电路，由此使施加于聚焦环的高频电力变化。据此，能够通过控制鞘层来使等离子体处理的均匀性提高。

在专利文献2中公开了：在对台的晶圆载置侧和聚焦环设置侧进行支承的基台形成槽。据此，抑制台的晶圆载置侧与聚焦环侧之间的热的移动，由此使等离子体处理的均匀性提高。

专利文献1：日本特开2010-186841号公报

专利文献2：日本特开2014-150104号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，关于专利文献1、2的台，并不是完全分离为晶圆载置侧与聚焦环设置侧的构造，而是至少一部分没有分离的构造。因此，产生难以在台的晶圆载置侧和聚焦环设置侧实现等离子体处理的均匀性的情况。

针对上述问题，在一个方面中，本发明的目的是使等离子体处理的均匀性提高。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种等离子体处理装置，其利用用于生成等离子体的高频电力来将供给到腔室内的气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有：台，其以第一电极与第二电极分离的方式形成，该第一电极在上部载置基板，该第二电极在上部设置聚焦环且该第二电极设置于所述第一电极的周围；第一高频电源，其向所述第一电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第一高频电力；第二高频电源，其与所述第一高频电源独立地设置，向所述第二电极施加主要用于吸引等离子体中的离子的第二高频电力；以及控制部，其独立地控制所述第一高频电源和所述第二高频电源。

发明的效果

根据一个方面，能够使等离子体处理的均匀性提高。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的一例的图。

图2是将一个实施方式所涉及的台的一例放大的图。

图3是示出台的上部的鞘层的状态的图。

图4是将一个实施方式所涉及的台的其它例子放大的图。

图5是一个实施方式所涉及的多接点构造的一例的图。

附图标记说明