[发明专利]一种全向激光微推进器

权利要求书

1.一种全向激光微推进器，其特征在于，包括：

壳体，所述壳体侧面开设有N个推进喷口，N为大于2的正整数；

N个半导体激光器阵列，所述N个半导体激光器阵列位于所述壳体内，与所述N个推进喷口一一相对设置；

含能工质带，设置于所述N个半导体激光器阵列与所述N个推进喷口之间，所述含能工质带涂覆含能工质的一侧面向所述推进喷口，其中，当所述半导体激光器阵列开启时，激光烧蚀所述含能工质带后的产物从所述推进喷口喷出以产生反推力；

传送机构，所述含能工质带固定于所述传送机构，以通过所述传送机构带动调整未烧蚀的所述含能工质带移动到所述半导体激光器阵列前方的焦点上；

系统控制电路，所述系统控制电路与所述N个半导体激光器阵列的电路连接，以控制所述N个半导体激光器阵列的开启和关闭，实现一个方向或一个合方向的推力；所述系统控制电路与所述传送机构连接，以控制所述传送机构运行。

2.如权利要求1所述的推进器，其特征在于，还包括：

N个微光路系统，所述N个微光路系统一一对应的覆盖于所述N个半导体激光器阵列表面，以聚焦激光快轴和慢轴的发散角度，形成激光焦点。

3.如权利要求1所述的推进器，其特征在于，还包括：

N个半导体激光器电路，所述N个半导体激光器电路与所述N个半导体激光器阵列一一对应连接，所述N个半导体激光器电路与所述系统控制电路连接，以接收所述系统控制电路的控制指令，并基于所述控制指令控制连接的所述半导体激光器阵列。

4.如权利要求1所述的推进器，其特征在于，所述半导体激光器阵列包括多个紧密排列的半导体激光器；所述半导体激光器阵列以脉冲形式工作，工作频率在200Hz-5000Hz。

5.如权利要求1所述的推进器，其特征在于，所述含能工质带的基底为高烧蚀阈值的透明薄膜基底，所述含能工质带的厚度为50μm-150μm；所述含能工质带的宽度为9mm-15mm。

6.如权利要求5所述的推进器，其特征在于，所述含能工质带的厚度与所述推进器所需的推力大小相关；所述含能工质带的宽度与所述半导体激光器阵列的宽度相关。

7.如权利要求1所述的推进器，其特征在于，还包括：

N组激光器支撑挡板，所述N组激光器支撑挡板一一对应支撑所述N个半导体激光器阵列；所述激光器支撑挡板的外边缘与所述半导体激光器的激光焦点位于同一平面；所述含能工质带与所述N组激光器支撑挡板的所述外边缘相贴，以使所述激光焦点位于所述含能工质带上。

8.如权利要求1所述的推进器，其特征在于，还包括：

电接口，所述电接口与所述系统控制电路连接，所述系统控制电路通过所述电接口接收卫星指令。

9.如权利要求1所述的推进器，其特征在于，N等于4，所述N个推进喷口的中心点均位于同一平面，所述平面与所述壳体的下表面平行。

10.如权利要求1所述的推进器。其特征在于：

所述传送机构的数量为N组，N组所述传送机构与所述N个半导体激光器阵列一一对应；或者，

所述传送机构的数量为1组。