[发明专利]三价钐离子掺杂钛酸钆钡红色荧光粉及其制备方法有效
申请号: | 201810033647.2 | 申请日: | 2018-01-15 |
公开(公告)号: | CN108276998B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 石建新;梁琼云;洪俊宇;吴明娒 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | C09K11/78 | 分类号: | C09K11/78 |
代理公司: | 广州市深研专利事务所(普通合伙) 44229 | 代理人: | 姜若天 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三价钐 离子 掺杂 钛酸钆钡 红色 荧光粉 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了三价钐离子掺杂钛酸钆钡红色荧光粉及其制备方法,化学组成表示式为:Ba6Gd2‑
技术领域
本发明涉及红色荧光粉领域,主要涉及三价钐离子掺杂钛酸钆钡红色荧光粉及其制备方法。
背景技术
随着人们对能源短缺和环境污染等问题越来越关注,很多国家逐渐开始使用白光发光二极管(LED)来代替传统的白炽灯和荧光灯,以减少环境污染、降低能耗。白光LED,由于其体积小、寿命长、发光效率高、节能环保等优点,被誉为下一代固态光源。目前,LED不仅广泛应用于室内照明、指示灯、装饰灯等,而且在LCD背光源、平板显示和汽车大灯等领域的应用也越来越多。
目前商业化的白光LED主要是利用光转换技术得到白光,即采用芯片与荧光粉共同封装的方式,利用芯片激发荧光粉发射的光与芯片本身的光复合,形成白光发射。根据互补色光原理,第一种采用YAG黄色荧光粉(Y3Al5O12:Ce3+)与InGaN蓝光LED芯片的封装方式,蓝黄两色光复合得到白光,但由于红光区的光谱发射很弱,使得商业化的白光LED发射的白光色温高(CCT>6000K),显色指数低,显色性差,光色偏冷,限制了LED照明的发展,可采用添加红色荧光粉的方式改善其显色性差的问题。另一种方式是采用近紫外光芯片激发RGB三基色荧光粉的方式,红绿蓝光复合得到白光,由于得到红光补偿,其发射可以覆盖整个可见光区,发射的白光显色性更好,可以实现低色温的白光发射。因此研究基于紫外或蓝光芯片激发的高效红光荧光粉十分必要,有助于降低色温、提高显色指数,从而可拓宽白光LED的应用。
Sm3+离子掺杂的发光材料是一类重要的红色荧光材料。Sm3+发射的红光归因于f-f跃迁,该离子具有宽光谱激发峰和窄带红光发射峰的光谱特征;其中6H5/2|4L13/2和6H5/2|4K11/2吸收跃迁位于近紫外光区,可与近紫外光LED芯片的发射相匹配。与Eu3+激活商用红色荧光粉相比,作为红色发光中心的Sm3+离子具有成本较低、光谱范围更广、光谱更丰富的优点,可实现比Eu3+更丰富的红色发射。Sm3+离子掺杂的红色荧光粉已有报道,如钼酸盐荧光粉KLa(MoO4)2:Sm3+和Gd2(MoO4)3:Sm3+等、磷酸盐荧光粉Sr3GdNa(PO4)3F:Sm3+等、硼酸盐荧光粉YAl3(BO3)4:Sm3+等,但它们在白光LED的实际应用中还十分有限。因此,为了得到发光效率高、成本较低的红色荧光粉,研究Sm3+离子掺杂的新型红色发光材料具有重要意义。
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