[发明专利]一种用于冗余修复的控制电路及其冗余修复方法有效

专利信息
申请号: 201810029279.4 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN108091368B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 胡剑 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C29/44;G11C29/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 冗余 修复 控制电路 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种用于冗余修复的控制电路,其特征在于:所述控制电路根据损坏的存储子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征确定高压控制信号INNERCELL的极性;若损坏的存储子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征相同,译码电路则在对应的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压;否则,译码电路按逻辑在相反的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。

2.如权利要求1所述的一种用于冗余修复的控制电路,其特征在于:所述控制电路包括与非门I0、非门I411、I1、I5以及或非门I441、I2、I3、I4,冗余子块选择信号RDNSEL0、RDNSEL2连接至所述或非门I441的输入端,所述或非门I441的输出端连接至所述非门I411的输入端,所述非门I411的输出端连接至所述与非门I0的一输入端,AX+1连接至所述与非门I0的另一输入端,所述与非门I0的输出端连接至所述非门I1的输入端,所述非门I1的输出端连接至所述或非门I4的一输入端;冗余子块选择信号RDNSEL1、RDNSEL3连接至所述或非门I2的输入端,所述或非门I2的输出端连接至所述或非门I3的输入端,AX+1连接至所述或非门I3的另一输入端,所述或非门I3的输出端连接至所述或非门I4的另一输入端;所述或非门I4的输出端连接至所述非门I5的输入端,所述非门I5的输出端即内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE。

3.如权利要求2所述的一种用于冗余修复的控制电路,其特征在于:当AX+1=0对应的偶数子块损坏时,如果选择偶数冗余行子块进行修复时,即RDNSEL0或者RDNSEL2为高,所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为低,其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出不改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平,译码电路按逻辑在对应的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。

4.如权利要求3所述的一种用于冗余修复的控制电路,其特征在于:当AX+1=1对应的奇数子块损坏时,如果选择奇数冗余行子块进行修复时,即RDNSEL1或者RDNSEL3为高,所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为低,其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出不改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平,译码电路按逻辑在对应的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。

5.如权利要求4所述的一种用于冗余修复的控制电路,其特征在于:当AX+1=0对应的偶数子块损坏时,如果选择奇数冗余行子块(sector)进行修复时,即RDNSEL1或者RDNSEL3为高而RDNSEL0或者RDNSEL2为低,所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为高,其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出会改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平,译码电路按逻辑在相反的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。

6.如权利要求5所述的一种用于冗余修复的控制电路,其特征在于:当AX+1=1对应的奇数子块损坏时,如果选择偶数冗余行子块进行修复时,即RDNSEL0或者RDNSEL2为高而RDNSEL1或者RDNSEL3为低,所述控制电路输出的内外侧交换控制信号INNERCELL_CHANGE为高,其与高压控制信号INNERCELL进行异或运算后其输出会改变原高压控制信号INNERCELL的逻辑电平,译码电路按逻辑在相反的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。

7.一种用于冗余修复的控制电路的冗余修复方法,包括如下步骤:

步骤一,确定损坏的子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征;

步骤二,根据损坏的子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征来确定高压控制信号INNERCELL的极性;若损坏的存储子块的奇偶特征和所选择的冗余子块的奇偶特征相同,译码电路则在对应的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压;否则,译码电路按逻辑在相反的内侧或外侧存储单元的位线加高压或低压。

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