[发明专利]集成光电振荡器有效

专利信息
申请号: 201810013244.1 申请日: 2018-01-05
公开(公告)号: CN108183380B 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 李明;唐健;郝腾飞;祝宁华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S1/02 分类号: H01S1/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤宝平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 集成 光电 振荡器
【说明书】:

一种集成光电振荡器,包括:一光电子芯片和一电子芯片,其中光电子芯片中的电光转换器的输入端与电子芯片中的第二偏置器的输出端连接;该光电子芯片中的光电探测器的输出端与电子芯片中的第一偏置器的输入端连接;该光电子芯片和电子芯片制作在一导热基底上。本发明是用于为微波系统提供高频率,高频普纯度,低相位噪声,小尺寸,低成本的稳定微波信号源。该集成光电振荡器,通过将光电子器件集成于磷化铟基光电子芯片上,将电子器件集成于硅基或者印制电路板上,最后通过金丝键合的方式将两者结合起来形成回路,并固定于同一导热基地上,从而实现了光电振荡器的集成化,小型化,降低了微波信号源的成本。

技术领域

本发明属于集成微波光子技术领域,具体涉及一种集成光电振荡器,尤其涉及一种为微波系统提供高频率,低相位噪声,高频谱纯度的集成化低成本的高频微波信号源。

技术背景

随着信息时代的来临,无论在民用领域还是军事领域,人类社会对信息的需求呈现出爆炸式增长状态,对信息的依赖与日俱增。微波系统,正是这个信息社会不可或缺的重要硬件基础。无论在通信,传感,医疗等民用领域,还是在卫星通信,雷达,电子对抗等军事领域,微波技术均发挥着重要支撑性作用。从信号产生的角度来考虑,微波信号源是一切微波技术应用的基础和前提条件。尤其是在当今通信系统与雷达系统面临巨大挑战之时,高频率,高频谱纯度,低相位噪声的微波信号源显得尤为重要。目前,高性能的微波信号源主要基于电介质振荡器或晶体振荡器作为储能单元产生微波信号。然而,当这些器件在吉赫兹以上频率工作时,输出的微波信号质量将会因储能器件的Q值下降而剧烈降低,难以产生高频率,低相位噪声的微波信号。

结合了光子学优势的光电振荡器可有效解决上述矛盾,被认为是一种非常有前景的高频微波信号源。其具有以下几项突出优点:(1)结合光子学大带宽低损耗的优势,其可产生高频率(几十吉赫兹)的微波信号,并且具有较高的频谱纯度和超低的相位噪声;(2)结构灵活,可重构。通过结构的改变,可实现频率调谐,梳状频率产生等。且其光电振荡的特质可方便的融合入现有光纤通信系统,以及光传感网络当中。目前,诸如多回路光电振荡器,耦合式光电振荡器,瑞利散射辅助的光电振荡器,注入式光电振荡器以及可调谐光电振荡器均已被报道。然而,这些光电振荡器均需使用长距离光纤(数公里)作为储能元件实现低相位噪声,因而增加了系统的不稳定性。另一方面,分立器件往往带来大体积,大重量,高成本的问题,难以实现商用化。

近几年,随着集成光子学的发展,诸如光电振荡器所需的激光器,调制器,探测器,储能单元等均可以实现片上集成。因而使继承光电振荡器成为可能。目前集成光子学所涉及的材料主要有硅,氮化硅,二氧化硅,氮化铝,磷化铟等材料,其中氮化硅,二氧化硅,氮化铝,由于其材料特性难以实现有源集成。硅上虽可实现调制器与探测器,但目前还没有可用的集成光源被研发出来。因而,磷化铟是目前最好的选择,其可将所有光电振荡器所需的光电子器件实现单片集成。从而可以发挥其集成的优势而大大降低光电振荡器的尺寸,重量以及成本。而另一方面,微波器件的电子集成早已在硅基成熟。因而发挥两者的优势,通过封装将两者融合,是实现小型化光电振荡器的重要路径。

本发明提出的这种集成光电振荡器,充分发挥了铟磷光电子集成的优势,通过螺旋形的光波导代替长光纤实现储能,从而大大减小了输出信号的不稳定性。同时,通过将电子芯片与光电子芯片封装于同一导热基板上,大大减小了器件尺寸,并可发挥集成的优势,降低光电振荡器的成本,非常具有商业价值。

发明内容

本发明提出一种集成光电振荡器,用于为微波系统提供高频率,高频普纯度,低相位噪声,小尺寸,低成本的稳定微波信号源。该集成光电振荡器,通过将光电子器件集成于磷化铟基光电子芯片上,将电子器件集成于硅基或者印制电路板上,最后通过金丝键合的方式将两者结合起来形成回路,并固定于同一导热基地上,从而实现了光电振荡器的集成化,小型化,降低了微波信号源的成本。

本发明提供一种集成光电振荡器,包括:

一光电子芯片包括:

一电光转换器;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810013244.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top