[发明专利]存储装置的操作方法及其存储系统

说明书

本发明公开了一种存储装置的操作方法，由处理电路执行，该存储装置的操作方法包括：执行非读取指令；以及在执行非读取指令的执行期间内，自存储装置的多个存储单元中挑选目标存储单元，并对目标存储单元执行特定程序。该特定程序包括：对虚拟读取队列提供虚拟读取指令，其中该虚拟读取指令包括目标存储单元的实体位置；以及根据虚拟读取队列，在执行期间内安排对目标存储单元进行虚拟读取操作。

技术领域

本发明属于数据存储技术领域，涉及一种存储装置的操作方法及其存储系统。

背景技术

为满足高容量、低成本的数据存储需求，具有三维(3D)叠层结构的存储装置被提出。相较于二维(2D)结构的存储装置，具有3D叠层结构的存储装置因为存储单元(memorycell)之间的排列更加紧密、且数量更加庞大，字线的负载效应明显，导致列译码器(rowdecoder)有较高的机率会发生读取错误，并需要进行再次读取(retry read)。进行再次读取时，列译码器需要调整原本的读取阈值电压设定，以类似尝试错误法(trial and error)的方式寻找出合适的读取阈值电压设定。然而，此作法往往会导致读取时间的延迟，造成主机端数据读取的不流畅。

发明内容

本发明是关于一种存储装置的操作方法及其存储系统，可通过对存储单元执行虚拟读取(dummy read)操作，使相关字线的负载效应(如字线的离散电容)回复至稳定状态。通过此方式，列译码器随后在响应主机的读取指令对相关字线作驱动时，将不会因字线负载效应的不稳定而导致读取失败。

根据本发明的一实施例，提供一种由处理电路执行的存储装置的操作方法，其包括以下步骤：执行非读取指令；以及在执行非读取指令的执行期间内，自存储装置的多个存储单元中挑选目标存储单元，并对目标存储单元执行特定程序。该特定程序包括：对虚拟读取队列提供虚拟读取指令，其中该虚拟读取指令包括目标存储单元的实体位置；根据虚拟读取队列，在执行期间内安排对目标存储单元进行虚拟读取操作。

根据本发明的另一实施例，提供一种存储系统，其包括存储装置以及控制器。存储装置包括多个存储单元。控制器耦接存储装置，并经配置而用以：执行非读取指令；以及在执行非读取指令的执行期间内，自多个存储单元中挑选目标存储单元，并对目标存储单元执行特定程序。该特定程序包括：对虚拟读取队列提供虚拟读取指令，其中虚拟读取指令包括目标存储单元的实体位置；以及根据虚拟读取队列，在执行期间内安排对目标存储单元进行虚拟读取操作。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：

附图说明

图1绘示依据本发明一实施例的存储系统的方框图。

图2绘示在非读取指令的执行期间对存储装置穿插虚拟读取操作的示意图。

图3绘示针对存储装置的一例操作序列图。

图4绘示存储装置中字线的离散电容的电位随时间变化的示意图。

图5绘示依据本发明一实施例的存储系统的方框图。

图6绘示根据本发明一实施例的存储装置的操作方法的流程图。

【符号说明】

102、500：存储系统；

104、502：主机；

106：控制器；

108、504：存储装置；

110：处理单元；

112：主机接口；

114：存储器；

116：存储装置接口；

118：转换单元；