[发明专利]一种有机电致发光器件

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、第一发光层、第一电荷控制层、第二发光层、第二电荷控制层、第三发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层，其特征在于，所述的第一电荷控制层中材料的LUMO能级高于第三发光层中的主体材料的LUMO能级，所述的第二电荷控制层中材料的HOMO能级低于第一发光层中的主体材料的HOMO能级。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述的第一电荷控制层中材料的LUMO能级高于第三发光层中主体材料的LUMO能级，其能级差大于或等于0.2ev，所述的第二电荷控制层中材料的HOMO能级低于第一发光层中主体材料的HOMO能级，其能级差大于或等于0.2ev。

3.根据权利要求1～2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述的第一电荷控制层的厚度为1-5nm，所述的第二电荷控制层的厚度为1-5nm。

4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述的第一电荷控制层的厚度为1.5-3nm，所述的第二电荷控制层的厚度为1.5-3nm。

5.根据权利要求1～2所述的有机电致发光器件，其特征在于：

所述的第一电荷控制层中的材料选自第一类通式化合物中的至少一种化合物，第一类通式化合物选自下述通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)与通式(Ⅲ)所定义的化合物：

通式(Ⅰ)中：

环A为虚线是拼接位置；该Ar选自氢、取代或未取代的C₆～C₃₀的芳基氨基、取代或未取代的C₆～C₃₀的杂芳基氨基、取代或未取代的C₆～C₃₀的芳基、取代或未取代的C₂～C₃₀的杂芳基；

R¹至R¹²各自独立选自氢、卤素、取代或未取代的C₁～C₃₀烷基、取代或未取代的C₂～C₃₀烯基、取代或未取代的C₂～C₃₀炔基、取代或未取代的C₃～C₃₀环烷基、取代或未取代的C₂～C₃₀杂环烷基、取代或未取代的C₆～C₃₀芳基、取代或未取代的C₂～C₃₀杂芳基；同时，R¹～R⁴和R⁵～R⁸这些基团之间可以互相连接形成环状结构；

通式(Ⅱ)中：

Ar¹、Ar²相同或不同，分别独立地为C₁-C₁₀烷基、C₆～C₃₀的芳基氨基或杂芳基氨基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₂-C₃₀杂芳基；

R¹至R¹²相同或不同，各自独立地优选氢、卤素、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀炔基、取代或未取代的C₃-C₃₀环烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀杂环烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₂-C₃₀杂芳基、C₆～C₃₀的芳基氨基或杂芳基氨基；且，R¹～R⁴的相邻的基团可以互相连接形成环状结构；

通式(III)中：

Ar³、Ar⁴相同或不同，分别独立地为C₁-C₁₀烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₂-C₃₀杂芳基、C₆～C₃₀的芳基氨基或杂芳基氨基；

R¹³至R²⁴相同或不同，各自独立地优选氢、卤素、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀炔基、取代或未取代的C₃-C₃₀环烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀杂环烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₂-C₃₀杂芳基、C₆～C₃₀的芳基氨基或杂芳基氨基；同时，R¹³～R¹⁶的相邻的基团可以互相连接形成环状结构，R¹⁷～R²⁰中的相邻的基团可以互相连接形成环状结构；

所述的第二电荷控制层中的材料选自第二类通式化合物中的至少一种化合物，由下述通式(Ⅳ)表示：

通式(Ⅳ)中：

L选自化学键、C₆～C₁₂的亚芳基或亚稠环芳烃基团、C₃～C₁₂的亚杂芳基或亚稠杂环芳烃基团；

Ar¹、Ar²和Ar³分别独立选自C₆～C₃₀的取代或非取代的芳基或稠环芳烃基团、C₃～C₃₀的取代或非取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团；当Ar¹、Ar²和Ar³分别独立选自取代的芳基、稠环芳烃基团、杂芳基或稠杂环芳烃基团时，所述其上的取代基团独立选自卤素、氰基、硝基，或选自C₁～C₁₀的烷基或环烷基、烯基、C₁～C₆的烷氧基或硫代烷氧基基团，或者选自Si(R⁵)₃，该R⁵选自C₁～C₆的烷基；

R¹、R²、R³、R⁴分别独立选自氢、C₁～C₁₀的亚烷基、卤素、氰基、硝基、C₆～C₃₀的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、C₃～C₃₀的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团。当R¹、R²、R³、R⁴分别独立选自取代的芳基、稠环芳烃基团、杂芳基或稠杂环芳烃基团时，所述其上的取代基团独立选自卤素、氰基、硝基，或选自C₁～C₁₀的烷基或环烷基、烯基、C₁～C₆的烷氧基或硫代烷氧基基团，或者选自Si(R⁵)₃，该R⁵选自C₁～C₆的烷基。