[发明专利]显示装置及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201780094564.8 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN111095392B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 吉田德生 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233;G09G3/20
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 郝家欢
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 及其 驱动 方法
【说明书】:

本申请提供在显示图像时能够以较少的耗电量对驱动晶体管进行驱动的显示装置及其驱动方法。有机EL显示装置在具有双栅极构造的驱动晶体管(M1)的底栅电极(2)施加用于使驱动晶体管(M1)开/关的电压,与数据信号对应的数据电压(Vdata)作为背栅电压(Vbg)而向顶栅电极(6)施加。由此,与将数据电压施加于底栅电极(2)的情况相比,使电压值的变动幅度变小。

技术领域

本发明涉及显示装置及其驱动方法,更详细而言涉及具备有机EL(ElectroLuminescence)显示装置等由电流驱动的显示元件的显示装置。

背景技术

作为薄型、高画质、低耗电量的显示装置,公知有机EL显示装置。在有机EL显示装置中,通过由电流驱动的自发光型显示元件亦即有机EL元件(也被称为“有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode:OLED)”或者“显示元件”)以及驱动晶体管等构成的多个像素电路以矩阵状配置。

对这样的有机EL显示装置所含的以往的像素电路的结构进行说明。图6是表示专利文献1所述的像素电路111的结构的图,图7是表示用于驱动图6所示的像素电路111的时序图的图。如图6所示,像素电路111包括一个有机EL元件OLED、三个晶体管M1~M3、存储电容器Cst以及补偿用电容器Ccp。这些晶体管M1~M3全部为N沟道型晶体管。晶体管M1是用于对应该向有机EL元件OLED供给的驱动电流进行控制的驱动晶体管,且是具有底栅端子Gb和顶栅端子Gt的双栅极构造的晶体管。晶体管M2是用于为了对驱动晶体管M1的底栅端子Gb施加与数据信号对应的电压(数据电压)Vdata而通过给予了数据信号线Di的数据电压Vdata对存储电容器Cst进行充电的写入用晶体管。晶体管M3是用于对补偿用电容器Ccp进行充电的补偿用晶体管,上述补偿用电容器Ccp对成为亮度不均的原因的驱动晶体管M1的阈值电压的不一致进行补偿。充电至补偿用电容器Ccp的电压通过作为背栅电压Vbg而施加于顶栅端子Gt,从而补偿驱动晶体管M1的阈值电压的不一致。

接下来,对像素电路111的动作进行说明。如图7所示,在时刻t1,与写入用晶体管M2的控制端子连接的第一扫描信号线Saj的电位从低电平变化为高电平。由此,写入用晶体管M2成为接通状态,作为数据电压Vdata,将预置电压Vpre从数据信号线Di写入存储电容器Cst。作为其结果,预置电压Vpre给予驱动晶体管M1的底栅端子Gb,驱动晶体管M1成为接通状态。

同时,与补偿用晶体管M3的控制端子连接的第二扫描信号线Sbj的电位也从低电平变化为高电平,补偿用晶体管M3成为接通状态。此时,与驱动晶体管M1连接的高电平电源线ELVDD的电源电压VDD维持高电平。因此,电流从高电平电源线ELVDD经由驱动晶体管M1以及补偿用晶体管M3而流过节点N,补偿用电容器Ccp以高电平的电源电压VDD被充电。被充电至补偿用电容器Ccp的高电平的电源电压VDD作为背栅电压Vbg而向驱动晶体管M1的顶栅端子Gt施加。此时,高电平电源线ELVDD的电源电压VDD以及低电平电源线ELVSS的电源电压VSS均为高电平,因此向有机EL元件OLED的阳极端子以及阴极端子施加的电压均为高电平。因此,在有机EL元件OLED没有流动有电流。

在时刻t2,第一扫描信号线Saj从高电平变化为低电平,从而写入用晶体管M2成为断开状态。此时,在存储电容器Cst写入有预置电压Vpre,因此在驱动晶体管M1的底栅端子Gb施加有预置电压Vpre,驱动晶体管M1成为接通状态。高电平电源线ELVDD的电源电压VDD从高电平变化为低电平,因此从补偿用电容器Ccp经由补偿用晶体管M3以及驱动晶体管M1而在高电平电源线ELVDD流动有电流。由此,向底栅端子Gb施加的背栅电压Vbg开始降低,驱动晶体管M1的阈值电压开始上升。

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