[发明专利]在DVB-T2接收机中执行二进制数据流的时域去交织的装置有效
申请号: | 201780087529.3 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN110383785B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 梅国强;林志好;曾朝煌;王晓晖;王军伟 | 申请(专利权)人: | 高拓讯达(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H04L27/26 | 分类号: | H04L27/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 董文倩 |
地址: | 100083 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | dvb t2 接收机 执行 二进制 数据流 时域 交织 装置 | ||
1.一种用于执行DVB-T2接收机的二进制数据流的时域去交织的装置,其特征在于,所述装置包括映射设备和16Mbits SDRAM半导体存储器;
所述映射设备包括:
输入接口,用于接收所述DVB-T2接收机的二进制数据流;
输出接口,用于输出所述DVB-T2接收机的二进制数据流的去交织实例;
行映射器,分别与所述输入接口和所述半导体存储器连接,用于将通过所述DVB-T2接收机的二进制数据流接收的数据分组为所述半导体存储器的写命令,执行从时域去交织TDI单元到SDRAM行的映射;以及
行去交织器,分别与所述半导体存储器和所述输出接口连接,用于将通过读命令从所述半导体存储器取回的去交织数据传输到所述输出接口,基于所述SDRAM行执行去交织;
其中,所述半导体存储器是同步动态随机存取存储器SDRAM,每个写命令是用于SDRAM行的至少一部分的SDRAM写命令,并且计算每个SDRAM写命令,使得以SDRAM迸发模式写入和读出去交织的数据;
其中,SDRAM的容量为16Mbits。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述输出接口与前向纠错FEC映射器相连接。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,使用用于迸发读取的所述FEC映射器缓存每个SDRAM读命令。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的装置,其特征在于,所述映射设备包括两个SRAM存储器,并且所述映射设备用于在各自SRAM存储器中迭代地为每个写命令生成一个写地址以及为每个读命令生成一个读地址。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的装置,其特征在于,所述行映射器还用于缓存SDRAM迸发写入的SDRAM写入访问命令。
6.一种数字视频广播-第二代地面DVB-T2接收机,其特征在于,包括根据权利要求1-5中任一项所述的装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高拓讯达(北京)科技有限公司,未经高拓讯达(北京)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780087529.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。