[发明专利]用于电源管理单元的方法和装置在审

专利信息
申请号: 201780082205.0 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN110169049A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 小D·G·费凯斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 周阳君
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电源管理单元 方法和装置 电源管理 温度传感器 功率耗散 温度信息 泄漏功率 减小 集成电路 配置 部署
【权利要求书】:

1.一种能够从温度传感器(120)接收温度数据的电源管理装置(100),所述电源管理装置包括:

电源管理单元(205),所述电源管理单元包括:

多个存储设备(220),其中每个存储设备(220)存储不同的预定阈值温度值;和

多个比较电路(230),每个比较电路(230)耦接到所述温度传感器(120)并被配置成:

将所述温度数据与所述阈值温度值中的一个阈值温度值进行比较;以及

传输对应于所述比较的结果的信号;

应用处理器单元(125),所述应用处理器单元耦接到所述电源管理单元(205)并响应于来自从所述多个比较电路(230)的任何比较电路的所传输的信号,其中所述应用处理器单元(125)基于来自从所述多个比较电路(230)的任何比较电路(230)的所传输的信号实现预定电源管理方案,以控制:

定时电路(215),所述定时电路耦接到所述应用处理器单元(125)并响应于所实现的电源管理方案,其中所述定时电路(215)根据所述选择的电源管理方案控制垂直消隐时段和水平消隐时段中的至少一者;和

SRAM(210),所述SRAM包括多个SRAM位单元,耦接到所述应用处理器单元(125)并响应于所实现的电源管理方案,其中所述SRAM位单元能够根据所述选择的电源管理方案进入泄漏减轻状态和待机状态中的至少一者。

2.根据权利要求1所述的电源管理装置(100),其中根据以下中的至少一者来选择所述预定阈值温度值:SRAM(210)的热规格和延迟要求。

3.根据权利要求1所述的电源管理装置(100),其中:

第一存储设备(220a)存储小于所述SRAM(210)的最大规格温度的第一预定阈值温度;

第二存储设备(220c)存储大于所述SRAM(210)的最大规格温度的第二阈值温度。

4.根据权利要求1所述的电源管理装置(100),其中预定电源方案基于所述SRAM(210)的特定规格。

5.根据权利要求4所述的电源管理装置(100),其中所述SRAM位单元包括位线,并且所述位线可以在保持所述SRAM(210)的当前状态的同时浮动。

6.根据权利要求4所述的电源管理装置(100),其中所述SRAM(210)可以包括可在保持所述SRAM(210)的当前状态的同时降低的第二电压轨。

7.根据权利要求4所述的电源管理装置(100),其中所述SRAM的部分可以在保持所述SRAM(210)的当前状态的同时掉电。

8.根据权利要求4所述的电源管理装置(100),其中所述SRAM供电电压能够增加以减小所述SRAM位单元中的至少一个SRAM位单元的漏极与衬底之间的电流泄漏。

9.一种用于管理图像传感器管芯(105)中的SRAM(210)的功耗的方法,所述方法包括:

基于所述图像传感器管芯(105)的操作规格温度建立预定阈值温度;

测量所述图像传感器管芯(105)的结温;

将所述结温与所述预定阈值温度进行比较;以及

基于所述结温超过所述阈值温度实现电源管理方案;

根据所实现的电源管理方案控制所述SRAM(210)的功耗;以及

根据所实现的电源管理方案控制所述图像传感器管芯(105)的帧速率。

10.根据权利要求9所述的用于管理图像传感器管芯(105)中的SRAM(210)的功耗的方法,其中控制所述图像传感器管芯(105)的所述帧速率包括增加水平消隐时段和垂直消隐时段中的至少一者。

11.根据权利要求9所述的用于管理图像传感器管芯(105)中的SRAM(210)的功耗的方法,其中所述电源管理方案使得所述SRAM(210)能够在水平消隐时段和垂直消隐时段中的至少一者期间进入高延迟待机状态。

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