[发明专利]剥离层的制造方法

说明书

本发明提供剥离层的制造方法，其包含将剥离层形成用组合物涂布于基体上、在最高温度450～550℃下进行烧成的工序，所述剥离层形成用组合物包含由下述式(1A)～(1C)表示的聚酰胺酸中的至少一种和有机溶剂。(式中，X相互独立地为具有2个羧酸衍生物的4价的芳香族基团，Y相互独立地为2价的芳香族基团，Z¹及Z²相互独立地为1价的有机基团，式(1A)中，Y、Z¹及Z²中的至少一个具有碱可溶性基团，式(1B)中，Y及2个Z¹中的至少一个具有碱可溶性基团，式(1C)中，Y及2个Z²中的至少一个具有碱可溶性基团，m相互独立地表示自然数)。

技术领域

本发明涉及剥离层的制造方法。

背景技术

近年来，对于电子器件，除了需要薄型化及轻质化这样的特性以外，还需要赋予能够弯曲这样的功能。由此考虑，要求替代以往的重、脆弱、不能弯曲的玻璃基板而使用轻质的柔性塑料基板。

特别地，对于新一代显示器而言，要求开发使用轻质的柔性塑料基板(以下表记为树脂基板)的有源矩阵型全色TFT显示器面板。

因此，开始研究各种以树脂膜作为基板的电子器件的制造方法，对于新一代显示器而言，在进行可转用现有的TFT显示器面板制造用的设备的工艺的研究。在专利文献1、2和3中公开了如下的方法：在玻璃基板上形成无定形硅薄膜层，在该薄膜层上形成了塑料基板后，从玻璃基板侧照射激光而使无定形硅结晶化，利用与该结晶化相伴而产生的氢气将塑料基板从玻璃基板剥离。

另外，在专利文献4中公开有如下的方法：使用专利文献1～3中公开的技术将被剥离层(专利文献4中记载为“被转印层”)粘贴于塑料膜，完成液晶显示装置。

但是，在专利文献1～4中公开的方法、特别是专利文献4中公开的方法中，存在如下问题：为了使激光透过，必须使用透光性高的基板；需要足以使其通过基板、进而使无定形硅中所含的氢放出的比较大的能量的激光的照射；由于激光的照射，有时对被剥离层造成损伤。

并且，在被剥离层为大面积的情况下，激光处理需要长时间，因此难以提高器件制作的生产率。

作为解决这样的问题的手段，在专利文献5中采用如下的制造工序：使用现有的玻璃基板作为基体(以下称为玻璃基体)，在该玻璃基体上使用环状烯烃共聚物这样的聚合物形成剥离层，在该剥离层上形成聚酰亚胺膜等耐热树脂膜后，在该膜上采用真空工艺形成ITO透明电极、TFT等并密封后，最终将玻璃基体剥离·除去。

但是，现在，作为TFT，使用迁移率比无定形硅TFT快2倍的低温多晶硅TFT。就该低温多晶硅TFT而言，在无定形硅蒸镀后，需要在400℃以上进行脱氢退火，照射脉冲激光，使硅结晶化(以下将它们称为TFT工序)，上述脱氢退火工序的温度为现有的聚合物的玻璃化转变温度(以下记为Tg)以上。

但是，就现有的聚合物而言，已知在加热到Tg以上的温度的情况下，密合性提高(例如参照专利文献6)，在加热处理后剥离层与树脂基板的密合性提高，有时将树脂基板从基体剥离变得困难。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-125929号公报

专利文献2：日本特开平10-125931号公报

专利文献3：国际公开第2005/050754号

专利文献4：日本特开平10-125930号公报

专利文献5：日本特开2010-111853号公报

专利文献6：日本特开2008-188792公报

发明内容

发明要解决的课题