[发明专利]薄膜和储能器件电极用底涂箔

说明书

本发明提供采用P偏光方式测定的红外吸光度为0以上且不到0.100的薄膜。

技术领域

本发明涉及薄膜和储能器件电极用底涂箔。

背景技术

近年来，以锂离子二次电池、双电层电容器为首的储能器件为了应对电动汽车、电动设备等用途，需要高容量化和充放电的高速化。

作为用于满足该要求的一个对策，提出了在活性物质层与集电基板之间配置底涂层，使活性物质层和集电基板的粘接性变得牢固，同时降低它们的接触界面的电阻(例如参照专利文献1)。

制造形成了上述的底涂层的底涂箔时，为了管理制作的底涂层的完成质量，需要测定单位面积质量、膜厚。

单位面积质量的测定一般如专利文献2中记载那样，从底涂箔中切出适当的大小的试验片，测定其质量W0，然后，从底涂箔将底涂层剥离，测定将底涂层剥离后的质量W1，由其差(W0-W1)算出，或者，预先测定集电基板的质量W2，然后测定形成了底涂层的底涂箔的质量W3，由其差(W3-W2)算出。

另外，膜厚通过从底涂箔中切出适当的大小的试验片，用扫描电子显微镜等测定。

但是，在上述的单位面积质量、膜厚的计算方法中，需要切割底涂箔，此时需要停止制造，因此没有效率。因此，寻求用于使更有效率的制造成为可能的新的对策。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-170965号公报

专利文献2：国际公开第2014/034113号

发明内容

发明要解决的课题

本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供给予在给予低电阻的储能器件的同时在制造时容易管理底涂箔的完成质量的储能器件电极用底涂箔的薄膜、在集电基板具备该薄膜的储能器件电极用底涂箔以及具备该底涂箔的储能器件电极和储能器件。

用于解决课题的手段

本发明人从具备底涂层的器件的低电阻化、进而制造时的管理方法的简便性这样的观点出发，反复认真研究，结果发现：通过使采用P偏光方式测定的底涂层的吸光度成为规定范围，从而得到获得低电阻的储能器件的底涂箔，并且得到低电阻的储能器件的底涂箔的制造时的完成质量的管理变得简便，完成了本发明。

即，本发明提供：

1.薄膜，其中，采用P偏光方式测定的红外吸光度为不到0.100，

2. 1的薄膜，其中，厚度为1～500nm，

3. 1的薄膜，其中，所述红外吸光度为0.027以下，

4. 3的薄膜，其中，厚度为1～200nm，

5. 1的薄膜，其中，所述红外吸光度为0.017以下，

6. 5的薄膜，其中，厚度为1～140nm，

7. 1的薄膜，其中，所述红外吸光度为0.005以上且0.015以下，

8. 7的薄膜，其中，厚度为30～110nm，

9. 1～8中任一项的薄膜，其中，所述红外吸光度来自薄膜中所含的有机成分的吸收，

10. 1～9中任一项的薄膜，其中，所述红外吸光度来自薄膜中所含的有机成分的、羰基、羟基、氨基、醚基、碳-碳键、碳-碳双键、碳-碳三键、碳-氮键、碳-氮双键、碳-氮三键、或芳族基团的吸收，

11. 1～10中任一项的薄膜，其中，所述红外吸光度来自薄膜中所含的有机成分的羰基的吸收，