[发明专利]薄膜和储能器件电极用底涂箔有效
申请号: | 201780074443.7 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN110062974B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 柴野佑纪;畑中辰也;吉本卓司 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | H01M4/66 | 分类号: | H01M4/66;C01B32/152;G01N21/3563;H01G11/28;H01G11/68;H01G11/86;H01M4/02;H01M4/04;H01M10/04 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 何杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 器件 电极 用底涂箔 | ||
1.储能器件电极用底涂箔,是具有集电基板和在该集电基板的至少一面形成的底涂层的储能器件电极用底涂箔,其特征在于,
所述底涂层包含碳纳米管及分散剂,且对于所述底涂层采用P偏光方式测定的、来自该底涂层中所含的有机成分的羰基的吸收的红外吸光度为0.005以上且0.015以下,是为了采用超声波焊接来制作具备该底涂箔的电极结构体而使用,
所述底涂层含有碳纳米管、分散剂及基体高分子,由含有0.0001~50质量%的碳纳米管、0.001~30质量%的分散剂、0.001~99质量%的基体高分子、及溶剂的含碳纳米管的组合物得到。
2.根据权利要求1所述的储能器件电极用底涂箔,其中,所述底涂层的厚度为1~140nm。
3.根据权利要求1所述的储能器件电极用底涂箔,其中,所述底涂层的厚度为30~110nm。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的储能器件电极用底涂箔,其中,所述集电基板为铝箔或铜箔。
5.储能器件电极,其具有:根据权利要求1~3的任一项所述的储能器件电极用底涂箔、和在该底涂层的表面的一部分或全部形成的活性物质层。
6.根据权利要求5所述的储能器件电极,其中,所述活性物质层以使所述底涂层的周缘残留、将其以外的部分全部覆盖的形态形成。
7.根据权利要求5或6所述的储能器件电极,其中,所述电极结构体在形成所述底涂层并且没有形成所述活性物质层的部分与金属极片超声波焊接。
8.储能器件,其具备根据权利要求5~7的任一项的储能器件电极。
9.储能器件,其具有至少一个具备一片或多片根据权利要求6所述的电极和金属极片而构成的电极结构体,将所述电极的至少一片在形成所述底涂层并且没有形成所述活性物质层的部分与所述金属极片超声波焊接。
10.储能器件的制造方法,是使用了一片或多片根据权利要求6所述的电极的储能器件的制造方法,具有如下工序:将所述电极的至少一片在形成所述底涂层并且没有形成所述活性物质层的部分与金属极片超声波焊接。
11.储能器件电极的制造方法,其中,在集电基板上涂布包含碳纳米管及分散剂的底涂层形成用组合物,将其干燥而形成了底涂层后,采用P偏光方式测定所述底涂层的红外吸光度,确认来自该底涂层中所含的有机成分的羰基的吸收的红外吸光度为0.005以上且0.015以下,进而在所述底涂层表面的至少一部分形成活性物质层。
12.根据权利要求11所述的储能器件电极的制造方法,其中,所述集电基板为铝箔。
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