[发明专利]不含N-H且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，其合成及应用

权利要求书

1.一种不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，其具有在从大约332道尔顿至大约100,000道尔顿范围内的分子量并且包含具有下式的不含N-H的重复单元：[-N(SiH₃)_x(SiH₂-)_y]，其中x＝0、1或2且y＝0、1或2，并且x+y＝2；且x＝0、1或2且y＝1、2或3，并且x+y＝3。

2.如权利要求1所述的不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，该组合物具有在从大约1.5:1至大约2.5:1范围内的Si:N比率。

3.如权利要求1所述的不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，该组合物具有在从大约17,000至大约80,000、优选地从大约20,000至大约50,000范围内的平均分子量Mn。

4.如权利要求1所述的不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，该组合物不具有-Si(-)(H)-并且具有在从大约1至大约5、优选地从大约3.5至大约4.5范围内的SiH₂:SiH₃比率。

5.如权利要求1至4中任一项所述的不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，该组合物在标准温度和压力下为液体。

6.一种旋涂含Si膜形成组合物，其包含不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物，该全氢聚硅氮烷组合物具有在从大约332道尔顿至大约100,000道尔顿范围内的分子量并且包含具有下式的不含N-H的重复单元：[-N(SiH₃)_x(SiH₂-)_y]，其中x＝0、1或2且y＝0、1或2，并且x+y＝2；且x＝0、1或2且y＝1、2或3，并且x+y＝3。

7.如权利要求6所述的旋涂含Si膜形成组合物，该不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物具有在从大约1.5:1至大约2.5:1范围内的Si:N比率。

8.如权利要求6所述的旋涂含Si膜形成组合物，该不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物具有在从大约17,000至大约80,000、优选地从大约20,000至大约50,000范围内的平均分子量Mn。

9.如权利要求6所述的旋涂含Si膜形成组合物，该不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物不具有-Si(-)(H)-且具有在从大约1至大约5、优选地从大约3.5至大约4.5范围内的SiH₂:SiH₃比率。

10.如权利要求6至9中任一项所述的旋涂含Si膜形成组合物，该不含N-H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷组合物在标准温度和压力下为液体。

11.一种在基底上形成含Si膜的方法，该方法包括经由旋涂、喷涂、浸涂或狭缝涂布技术使如权利要求6至9中任一项所述的旋涂含Si膜形成组合物与该基底接触以形成该含Si膜。

12.如权利要求11所述的方法，其中该基底包括具有在从大约1:1至大约1:100范围内的纵横比的沟槽。

13.如权利要求12所述的方法，其中这些沟槽具有在从大约10nm至大约1微米范围内的临界尺寸。

14.如权利要求11至13中任一项所述的方法，其中该含Si膜为SiO2，相较于在1100℃生长的热氧化物，该SiO2具有在从大约1至大约5范围内、优选地从大约1至大约3范围内的湿式蚀刻速率。