[发明专利]低电压断路器设备有效

专利信息
申请号: 201780072938.6 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN110036455B 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: K·阿斯坎 申请(专利权)人: 伊顿智能动力有限公司
主分类号: H01H9/54 分类号: H01H9/54;H02H3/08
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇;李科
地址: 爱尔兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电压 断路器 设备
【权利要求书】:

1.一种低电压保护开关设备(1),具有从所述低电压保护开关设备(1)的外导体供电端子(3)到所述低电压保护开关设备(1)的外导体负载端子(4)的至少一个外导体路径(2)、以及从所述低电压保护开关设备(1)的中性导体端子(6)到所述低电压保护开关设备(1)的中性导体负载端子(7)的中性导体路径(5),其中在所述外导体路径(2)中布置机械旁路开关(8),其中所述低电压保护开关设备(1)的第一半导体电路装置(11)并联连接到所述旁路开关(8),其中在所述外导体路径(2)中布置与所述保护开关设备(1)的电子控制单元(13)连接的电流测量装置(12),其中所述电子控制单元(13)被配置成在借助于所述电流测量装置(12)检测到可预先确定的过电流时控制所述旁路开关(8)和所述第一半导体电路装置(11),其特征在于第一机械断路开关(9)与所述第一半导体电路装置(11)串联地且与所述旁路开关(8)并联地被布置,在所述外导体路径(2)中通过电路技术与所述旁路开关(8)串联地以及与所述第一半导体电路装置(11)并联地布置第二半导体电路装置(14),所述电子控制单元(13)被配置成在所述电流测量装置(12)的部分上检测到短路电流和/或过载电流时首先接通所述第一半导体电路装置(11),随后禁用所述第二半导体电路装置(14),然后断开所述旁路开关(8),随后将所述第一半导体电路装置(11)调节到非导电状态中,并随后断开所述第一机械断路开关(9)。

2.根据权利要求1所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于所述可预先确定的过电流是短路电流。

3.根据权利要求1所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于所述电子控制单元(13)被配置成启动所述第一机械断路开关(9)。

4.根据权利要求1所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于在所述中性导体路径(5)中布置第二机械断路开关(10),以及所述电子控制单元(13)被配置成启动所述第二机械断路开关(10)。

5.根据权利要求1所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于过电压抑制器(19)与所述旁路开关(8)和所述第一半导体电路装置(11)并联地以及与所述第一机械断路开关(9)串联地布置在电路中。

6.根据权利要求5所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于所述过电压抑制器(19)是MOS变阻器。

7.根据权利要求1所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于所述旁路开关(8)是具有多个断点的开关(27)的形式。

8.根据权利要求7所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于具有多个断点的所述开关(27)被设计成包括具有至少一个第一可移动触点和至少一个第二可移动触点的至少一个可移动开关桥。

9.根据权利要求1所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于所述第二半导体电路装置(14)作为双向开关被配置。

10.根据权利要求9所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于所述第二半导体电路装置(14)作为双向4象限开关被配置。

11.根据权利要求1所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于所述第二半导体电路装置(14)被配置成包括低电压MOSFET。

12.根据权利要求4所述的低电压保护开关设备(1),其特征在于所述电子控制单元(13)被配置成当关掉的低电压保护开关设备(1)被接通时、当所述旁路开关(8)被断开时以及当所述第一半导体电路装置和第二半导体电路装置(11,14)被禁用时首先闭合所述第一机械断路开关(9),随后在至少可预先确定的第一持续时间之后接通所述第一半导体电路装置(11),基本上直接在其后闭合所述旁路开关(8),在可预先确定的第二持续时间之后接通所述第二半导体电路装置(14)并基本上直接在其后关掉所述第一半导体电路装置(11)并保持所述第一机械断路开关(9)闭合。

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