[发明专利]使用叠层差异的设计和校正

说明书

一种方法包括：获得是用于图案化过程的、是量测目标的叠层差异参数的函数的所述量测目标的重叠的数据的拟合；以及通过硬件计算机使用所述拟合的斜率以：(i)区分一个量测目标测量选配方案与另一个量测目标测量选配方案；或者(ii)计算重叠的校正值；或者(iii)指示利用所述量测目标获得的重叠测量值应该被使用或者不应该被使用，以配置或修改所述图案化过程的方面；或者(iv)选自(i)至(iii)中的任意组合。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月10日递交的US申请No.62/420,375的优选权，该US申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及能够用于例如通过光刻技术制造器件的检查(例如量测)的方法和设备，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于制造例如集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(其可替代地被称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或多个管芯)上。通常经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。

在图案化过程(即，产生包含图案化(诸如光刻曝光或压印)的器件或其它结构的过程，其通常可以包括一个或更多个相关的处理步骤，诸如抗蚀剂的显影、蚀刻等)中，期望确定一个或更多个感兴趣的参数(例如，使用一个或更多个模型进行测量、模拟等，所述模型将图案化过程的一个或更多个方面模型化)，诸如结构的临界尺寸(CD)、形成于衬底中或衬底上的连续层之间的重叠误差等。

期望确定用于通过图案化过程而产生的结构的这样的一个或更多个感兴趣的参数，并且将它们用于与图案化过程相关的设计、控制和/或监测，例如用于程序设计、控制和/或验证。可以将图案化结构的已确定的一个或更多个感兴趣的参数用于图案化过程设计、校正和/或验证、缺陷检测或分类、良率估计和/或过程控制。

因此，在图案化过程中，期望频繁地对所产生的结构进行测量，例如以用于过程控制和验证。用于进行这种测量的各种工具是已知的，包括经常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜，以及用于测量重叠(器件中两个层的对准准确度的量度)的专用工具。可以依据两个层之间的对准不良的程度来描述重叠，例如，对所测得的1nm的重叠的提及可以描述两个层对准不良为1nm的情形。

已经开发出了多种形式的检查设备(例如量测设备)以供光刻领域中使用。这些器件将辐射束引导到目标上，并且测量改变方向的(例如散射的)辐射的一个或更多个属性-例如，作为波长的函数的在单一反射角处的强度；作为反射角的函数的在一个或更多个波长处的强度；或者作为反射角的函数的偏振-以获得“光谱”，可以根据该“光谱”确定目标的感兴趣的属性。可以通过多种技术执行感兴趣的属性的确定，例如，通过诸如严密耦合波分析或者有限元法的迭代方法、库搜寻和主成份分析而进行的目标的重建。