[发明专利]隐形切割用粘着片

说明书

本发明提供一种隐形切割用粘着片，其具备基材与层叠在所述基材的单面侧的粘着剂层，所述基材在23℃下的拉伸弹性模量为50MPa以上、450MPa以下，所述粘着剂层由含有丙烯酸类共聚物的能量射线固化性粘着剂构成，所述丙烯酸类共聚物含有丙烯酸正丁酯、丙烯酸2‑羟基乙酯及烷基的碳原子数为2以下的(甲基)丙烯酸烷基酯作为结构单体。该隐形切割用粘着片的耐溶剂性及热收缩性优异。

技术领域

本发明涉及一种隐形切割(注册商标)用粘着片，优选涉及一种将具有贯通电极的半导体晶圆作为工件(work)的隐形切割用粘着片。

背景技术

对应电子电路的大容量化、高功能化，将多个半导体芯片立体层叠而成的层叠电路的开发不断进展。在这样的层叠电路中，以往一般是利用引线接合(wire bonding)来进行半导体芯片的导电连接，但是由于近年来的小型化、高功能化的必要性，正在将不进行引线接合而是在半导体芯片中设置从电路形成面贯穿到背面的电极(TSV)，由此直接将上下的芯片导电连接的方法作为有效的手法而进行开发。作为带贯通电极的芯片的制造方法，例如可列举出利用等离子体等在半导体晶圆的规定位置设置贯通孔，在该贯通孔内注入铜等导电体后，实施蚀刻等从而在半导体晶圆的表面上设置电路与贯通电极的方法等。此时，晶圆会被加热。

这样的极薄晶圆、TSV晶圆极容易破裂，因此有时会在背面研磨(back grinding)工序、之后的加工工序或输送工序中破裂。因此，在这些工序中，会将晶圆经由粘合剂而保持在玻璃等硬质支撑体上。作为该粘合剂，有时会使用丙烯酸类、环氧类、无机类等泛用的粘合剂。此外，加工工序中晶圆暴露于高温时，晶圆与硬质支撑体可利用高耐热性的粘合剂、例如聚酰亚胺类的粘合剂来进行接合。

在结束晶圆的背面研磨及加工后，将晶圆从硬质支撑体转移到切割片，以环状框固定住切割片的周缘部后，将晶圆按照每个电路进行切断并芯片化，之后从切割片上拾取芯片。将晶圆从硬质支撑体转移到切割片时，将固定有晶圆的硬质支撑体的晶圆侧的面贴附在切割片上，将硬质支撑体从晶圆上剥离，从而将晶圆转移到切割片。剥离硬质支撑体时，实施进行加热而使粘合剂软化进而使硬质支撑体滑动的热滑动；或是利用激光照射使粘合剂分解而进行硬质支撑体的剥离。但是，有时已剥离硬质支撑体后的晶圆面上会残留附着有粘合剂或其分解物。

为了将残留附着的粘合剂残渣清洗去除，有时利用有机溶剂清洗固定在切割片上的晶圆。该清洗中，例如将切割片与晶圆的层叠物浸渍于有机溶剂、或是将比晶圆稍大的框以围绕晶圆的方式进行配置，向框内投入有机溶剂，从而清洗晶圆。此外，将晶圆从硬质支撑体上剥离时，除了上述方法以外，也可进行将晶圆与硬质支撑体浸渍于有机溶剂的操作。

进行上述清洗时，存在下述情况：因有机溶剂导致切割片的粘着剂层膨润或溶解、丧失粘着力，晶圆、环状框从切割片上脱落。此外，存在下述问题：因有机溶剂导致切割片的基材中出现皱纹，贴附在如TSV晶圆般的厚度薄的晶圆时，该晶圆会破裂。

专利文献1的技术问题之一在于，即使在接触了清洗液的情况下，仍不会有粘着剂溶解并污染半导体元件，其中公开了一种半导体加工用粘着胶带，其具备：基材树脂膜与以规定的比例含有硅丙烯酸酯或含氟寡聚物的粘着剂层。

此外，专利文献2的技术问题在于提供一种电子元件加工用粘着片，其即使与有机溶剂接触，仍能维持粘着剂层的粘着力，且基材中不产生皱纹，芯片的拾取性优异，其中公开了一种电子元件加工用粘着片，其具备：含有聚对苯二甲酸丁二酯的基材与含有规定的能量射线固化性聚合物的粘着剂层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5607847号

专利文献2：日本特开2015-72997号

发明内容

本发明要解决的技术问题