[发明专利]加热接合用片及带有切割带的加热接合用片

说明书

提供可抑制组成变化、稳定得到具有期望的特性的烧结层的加热接合片、及具有该加热接合用片的带有切割带的加热接合用片。加热接合用片具有通过加热而成为烧结层的前体层，将前述加热接合用片在温度23±2℃、湿度50±20％的气氛中暴露前在氮气气氛中、以升温速度10℃/分钟从23℃至400℃利用差动型差热天平进行分析时的重量减少率ΔW₀(％)与、将前述加热接合用片在温度23±2℃、湿度50±20％的气氛中暴露24小时后在氮气气氛中、以升温速度10℃/分钟从23℃至400℃利用差动型差热天平进行分析时的重量减少率ΔW₂₄(％)满足下述式(3)的关系。‑1％≤ΔW₀‑ΔW₂₄≤0.5％(3)。

技术领域

本发明涉及加热接合用片及带有切割带的加热接合用片。

背景技术

在半导体装置的制造中将半导体元件粘接于金属引线框等被粘物的方法(所谓的芯片接合法)起始于以往的金-硅共晶，并发展到采用焊料、树脂糊剂的方法。目前，有时会使用导电性的树脂糊剂。

近年来，进行电力的控制、供给的功率半导体装置的普及变得显著。由于功率半导体装置中始终流过电流，所以发热量大。因此，期望在功率半导体装置中使用的导电性的粘接剂具有高散热性和低电阻率。

功率半导体装置被要求低损耗且高速运行。以往，功率半导体装置中使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等使用了Si的半导体。近年，开发出使用SiC、GaN等半导体的装置，预计今后会扩大。

使用SiC、GaN的半导体具有带隙大、介质击穿电场高等特征，能实现低损耗、高速运行、高温运行。高温运行在热环境苛刻的汽车、小型电力转换设备等中成为优点。热环境苛刻的用途的半导体装置会假定250℃左右的高温运行，作为目前为止的接合/粘接材料的焊料、导电性粘接剂会在热特性、可靠性方面产生问题。因此，提出含有烧结金属颗粒的糊剂材料(例如专利文献1)。含有烧结金属颗粒的糊剂材料包含纳米尺寸至微米尺寸的金属颗粒，这些金属颗粒由于纳米尺寸效应会在低于通常的熔点的温度下熔解，进行颗粒间的烧结。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-111800号公报

发明内容

发明要解决的问题

含有烧结金属颗粒的糊剂材料为了维持糊剂形态而包含分散介质。作为分散介质，为了不阻碍作为后工序的烧结工序中的颗粒间的烧结，大多使用挥发性分散介质。但是，对于使用挥发性分散介质的含有烧结金属颗粒的糊剂材料，在进行糊剂的涂布工序的过程中分散介质会挥发，在涂布工序结束时糊剂材料中所含的分散介质的量发生变化。若分散介质的存在量产生偏差，则糊剂材料的组成变不均匀，其结果，有在烧结工序中不会稳定得到具有期望的特性的烧结体的担心。

本发明是鉴于前述问题而作出的，其目的在于，提供可抑制组成变化、稳定得到具有期望的特性的烧结层的加热接合片、及具有该加热接合用片的带有切割带的加热接合用片。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决前述以往的问题进行了深入研究，结果发现，通过采用下述构成，可解决前述问题，从而完成了本发明。

即，本发明涉及一种加热接合用片，其具有通过加热而成为烧结层的前体层，