[发明专利]氧化锆组合物、预煅烧体和烧结体、以及其制造方法

权利要求书

1.组合物，其含有：55%以上为单斜晶体的氧化锆粉末、和

可抑制氧化锆的相转移的稳定剂，

氧化锆粒子和所述稳定剂的粒子的平均粒径为0.06μm~0.17μm，

所述稳定剂中的至少一部分未固溶于氧化锆。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，BET比表面积为7.5m²/g~25m²/g。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，氧化锆的80%以上为单斜晶体。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的组合物，其中，所述平均粒径为0.10μm~0.14μm。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的组合物，其中，所述平均粒径低于0.13μm。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的组合物，其中，所述稳定剂为氧化钇。

7.根据权利要求6所述的组合物，其中，相对于氧化锆和氧化钇的总计mol，含有3mol%~7.5mol%的氧化钇。

8.根据权利要求6或7所述的组合物，其中，在X射线衍射图案中存在氧化钇的峰。

9.根据权利要求6~8中任一项所述的组合物，其中，基于以下的数学式1而算出的f_y为1%以上，

其中，I_y(111)表示利用CuKα线的X射线衍射图案中的氧化钇的(111)面的峰强度，

I_m(111)和I_m(11-1)表示所述X射线衍射图案中的氧化锆的单斜晶系的(111)面和(11-1)面的峰强度，

I_t(111)表示所述X射线衍射图案中的氧化锆的四方晶系的(111)面的峰强度，

I_c(111)表示所述X射线衍射图案中的氧化锆的立方晶系的(111)面的峰强度，

[数学式1]

。

10.根据权利要求9所述的组合物，其中，所述f_y为15%以下。

11.根据权利要求9或10所述的组合物，其中，所述组合物中的氧化钇的含有率为3mol%以上且低于4.5mol%，

所述f_y为2%以上。

12.根据权利要求9或10所述的组合物，其中，所述组合物中的氧化钇的含有率为4.5mol%以上且低于5.8mol%，

所述f_y为3%以上。

13.根据权利要求9或10所述的组合物，其中，所述组合物中的氧化钇的含有率为5.8mol%以上且7.5mol%以下，

所述f_y为4%以上。

14.预煅烧体，其含有：55%以上为单斜晶体的氧化锆、和

可抑制氧化锆的相转移的稳定剂，

所述稳定剂中的至少一部分未固溶于氧化锆。

15.根据权利要求14所述的预煅烧体，其中，密度为2.7g/cm³~4.0g/cm³。

16.根据权利要求14或15所述的预煅烧体，其中，弯曲强度为15MPa~70MPa。

17.根据权利要求14~16中任一项所述的预煅烧体，其中，氧化锆的80%以上为单斜晶体。