[发明专利]喷镀用材料

说明书

本发明提供能形成抗等离子体腐蚀性得到提高的喷镀膜的喷镀用材料。该喷镀用材料包含使多个氟化钇微粒一体化而成的复合颗粒。该喷镀用材料在Lab色彩空间中的亮度L为91以下。该亮度L更优选为5以上。

技术领域

本发明涉及包含氟化钇的喷镀用材料。

本申请主张基于2016年9月16日提出申请的日本专利申请2016-181958号的优先权，该申请的全部内容以参照形式被援引到本说明书中。

背景技术

通过将基材的表面用各种材料包覆来赋予新的功能性的技术一直以来已被用于各种领域。作为该表面包覆技术之一，已知例如喷镀法，所述喷镀法通过将由陶瓷等材料构成的喷镀颗粒在用燃烧或电能等使其软化或熔融的状态下吹送到基材的表面，由此形成由所述材料构成的喷镀膜。

在半导体装置等的制造领域中，通常在真空腔室(容器)的内部通过使用氟、氯、溴等卤素系气体的等离子体的干式蚀刻对半导体基板的表面实施微细加工。另外，在干式蚀刻之后，用氧气等离子体对取出半导体基板后的腔室内部进行清扫。此时，在腔室内，暴露于反应性高的氧气等离子体、卤素气体等离子体的构件有被腐蚀的可能性。此外当腐蚀(erosion)部分以颗粒状从被腐蚀的构件脱落时，所述颗粒附着于半导体基板，成为给电路带来缺陷的异物(以下将该异物称为微粒。)。

因此，以往为了降低微粒的产生，对半导体装置制造装置的暴露于氧气、卤素气体等腐蚀性等离子体的构件进行了设置陶瓷喷镀膜的操作，所述陶瓷喷镀膜具备对等离子体所致的腐蚀的抗性(以下称为抗等离子体腐蚀性。)。例如，专利文献1～5公开了如下方案：通过使用含有稀土元素的化合物作为喷镀用材料，能够形成抗等离子体腐蚀性高的喷镀膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3523216号公报

专利文献2：日本专利第3523222号公报

专利文献3：日本专利第4273292号公报

专利文献4：日本专利第5861612号公报

专利文献5：日本专利第3672833号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，随着半导体装置的集成度的提高而要求对微粒所致的污染进行更精密的管理。对于设置于半导体装置制造装置的喷镀膜，也要求进一步提高抗等离子体腐蚀性。例如，要求抑制现有技术中可接受的、更微细的微粒的产生。例如，要求抑制粒径为0.2μm以下的微粒的产生。

鉴于这种状况，本发明的目的在于提供一种可形成抗等离子体腐蚀性得到提高的喷镀膜的喷镀用材料。另外，本发明的另一目的在于提供使用该喷镀用材料所形成的带有喷镀膜的构件。

用于解决问题的方案

如上所述，可知通过使用含有稀土元素的化合物作为喷镀用材料能够形成耐腐蚀性相对优异的喷镀膜。该含有稀土元素的化合物代表性的是氟化钇(YF₃)、氧化钇(Y₂O₃)、氟氧化钇(YOF)。此外，在使用了现有的喷镀材料的喷镀中，由于喷镀过程中这些含有稀土元素的化合物会被氧化，因此得到的喷镀膜中必然以相对高的比例包含稀土元素的氧化物(典型的是氧化钇)。这里，本发明人等进行了深入研究，结果发现，当喷镀膜包含稀土元素的氧化物时，由该含有稀土元素的氧化物构成的部分成为以往被遗漏的微细的微粒的产生源。为了使喷镀膜中不存在成为微细的微粒的产生源的含有稀土元素的氧化物，除了要求喷镀用材料不包含含有稀土元素的氧化物以外，还要求使用在喷镀环境中不易形成含有稀土元素的氧化物的化合物作为喷镀用材料。本发明是基于所述构思完成的。