[发明专利]硫系化物薄膜、包括其的装置和形成该薄膜的方法有效
| 申请号： | 201780054048.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109891601B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 余学超;余鹏;王岐捷;刘政 | 申请（专利权）人： | 南洋理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0264 | 分类号： | H01L31/0264;C23C16/30 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫系化物 薄膜 包括 装置 形成 方法 | ||
1.一种硫系化物薄膜，包括：单层或双层的具有式MCx的贵金属硫系化物材料；
其中，M代表贵金属；
其中，C代表硫族元素；
其中，x为等于或大于1.4且小于2的任意一个正值；所述贵金属硫系化物材料为选自由PtSe1.8、PtSe1.6和PtSe1.4组成的群中的任意一种；以及
其中，在波长在可见光至红外范围内的光入射到所述硫系化物薄膜上时，所述硫系化物薄膜被配置成产生电子和空穴。
2.一种形成硫系化物薄膜的方法，所述方法包括：
在催化剂存在下加热贵金属和硫族元素，以形成单层或双层的具有式MCx的贵金属硫系化物材料；
其中，所述催化剂包括选自由硫、磷、溴和碘组成的群中的一种或多种；
M代表贵金属；
其中，C代表硫族元素；
其中，x为等于或大于1.4且小于2的任意一个正值；以及
其中，在波长在可见光至红外范围内的光入射到所述硫系化物薄膜上时，所述硫系化物薄膜被配置成产生电子和空穴。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述贵金属硫系化物材料包括化学气相转移过程，以形成一种或多种单晶；
其中，形成所述贵金属硫系化物材料进一步包括：从所述一种或多种单晶机械剥离一种或多种结晶薄片以形成所述硫系化物薄膜。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述贵金属为铂；所述硫族元素为硒。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，用于形成PtSe1.8的铂、硒、磷、硫的摩尔比为1：1.8：1：3。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，用于形成PtSe1.6的铂、硒、磷、硫的摩尔比为1：1.6：1：3。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，用于形成PtSe1.4的铂、硒、磷、硫的摩尔比为1：1.4：1：3。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述加热是在输运气体的存在下进行。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述输运气体为碘或氩气。
10.一种硫系化物薄膜，其通过根据权利要求2-9中任一项所述的方法形成。
11.一种光学或光电装置，包括根据权利要求1所述的硫系化物薄膜，或者包括根据权利要求10所述的硫系化物薄膜。
12.根据权利要求11所述的光学或光电装置，其特征在于，所述光学或光电装置为光电检测器或太阳能电池。
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