[发明专利]用于监视工艺设备的方法和系统在审
申请号: | 201780053766.8 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN109642876A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | W·T·特尔;M·J·马斯洛;F·斯塔尔斯;P·C·欣南 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G01N21/956 | 分类号: | G01N21/956;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺设备 衬底 图案化工艺 光刻设备 光刻 去除 监视 | ||
1.一种方法,包括:
由硬件计算机系统通过从衬底的特性的值中去除光刻设备对所述特性的贡献以及一个或多个光刻前工艺设备对所述特性的贡献,来确定在已经由一个或多个工艺设备根据图案化工艺处理所述衬底之后的所述一个或多个工艺设备对所述衬底的所述特性做出的贡献。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述一个或多个工艺设备包括蚀刻工具。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述一个或多个光刻前工艺设备对所述特性的贡献包括沉积工具对所述特性的贡献。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述沉积工具的贡献从由所述沉积工具形成的所述衬底的可蚀刻层的特性中导出。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述可蚀刻层的特性是所述可蚀刻层的厚度。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光刻设备对所述特性的贡献从与所述光刻设备相关的一个或多个变量的群组中导出,所述变量从以下项中选出:所述光刻设备的照射的一个或多个变量、所述光刻设备的投影系统的一个或多个变量、聚焦、剂量、套刻、所述光刻设备的衬底台的移动的移动标准偏差、所述光刻设备的衬底台的移动的移动平均、激光带宽、曝光持续时间、光学像差、高频激光带宽变化和/或高频激光波长变化。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:
使用所述一个或多个工艺设备的所述贡献来确定针对所考虑的一个或多个衬底的所述特性是否满足或超过阈值;以及
响应于关于所述阈值的确定,创建和输出修改信息,以调节所述一个或多个光刻前工艺设备、所述光刻设备和/或一个或多个光刻后工艺设备。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述修改信息被用来修改所述一个或多个光刻前工艺设备、所述光刻设备和/或所述一个或多个光刻后工艺设备的变量,并且其中所述变量包括沉积工具的沉积变量、光刻设备的光刻变量、和/或蚀刻工具的蚀刻变量。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述变量包括所述沉积工具的所述沉积变量,所述沉积变量包括所述沉积工具的沉积速率或所述沉积工具的操作持续时间。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述变量包括所述蚀刻工具的所述蚀刻变量,所述蚀刻变量包括所述蚀刻工具的蚀刻类型和/或所述蚀刻工具的蚀刻速率。
11.根据权利要求7所述的方法,其中,所述创建修改信息包括创建修改信息以调节光刻后工艺设备的第一组件和/或第二组件的变量。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述光刻后工艺设备是蚀刻工具,所述第一组件是所述蚀刻工具的第一蚀刻腔,所述第二组件是所述蚀刻工具的第二蚀刻腔,并且所述第一组件和/或所述第二组件的所述变量包括所述蚀刻工具的所述第一蚀刻腔和/或所述蚀刻工具的所述第二蚀刻腔的蚀刻速率、所述蚀刻工具的所述第一蚀刻腔和/或所述蚀刻工具的所述第二蚀刻腔的蚀刻类型、或所述蚀刻工具的所述第一蚀刻腔和/或所述蚀刻工具的所述第二蚀刻腔的操作温度。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述衬底的所述特性包括从以下项中选出的一个或多个参数的一个或多个值和/或指纹:临界尺寸、临界尺寸均匀性、套刻、侧壁角度、底表面倾斜、特征高度、图案偏移和/或图案的几何不对称性。
14.一种方法,包括:
由硬件计算机系统通过组合与在图案化工艺中使用的一个或多个工艺设备相关的第一组一个或多个工艺变量的特定于衬底的贡献以及与所述一个或多个工艺设备相关的第二组一个或多个工艺变量的非特定于所述衬底的贡献,来估计将被赋予给要由所述图案化工艺处理的所述衬底的特性,来自所述第一组和/或所述第二组的至少一个工艺变量与在光刻设备的上游的工艺设备相关。
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