[发明专利]照明装置和照明系统在审

专利信息
申请号: 201780052570.7 申请日: 2017-08-24
公开(公告)号: CN109923344A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 张道强;游铭生;黄瑞彬 申请(专利权)人: 查克森科技有限公司;欧司朗股份有限公司
主分类号: F21V7/09 分类号: F21V7/09;F21S4/28;F21S8/00;F21W131/107;F21Y103/10;F21Y115/10;F21Y113/13
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 黄霖;杨颖
地址: 中国香港*** 国省代码: 中国香港;81
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摘要:
搜索关键词: 反射侧面 照明装置 基线 发光半导体芯片 反射器 侧面 发射 照明系统 焦距 平行 穿过 外部
【说明书】:

一种照明装置(1),包括发光半导体芯片(2)和反射器(3),该发光半导体芯片(2)具有主发射侧面(20),反射器(3)具有面向主发射侧面(20)的反射侧面(30)。基线(B)穿过主发射侧面(20)并且反射侧面(30)的局部高度(h)是基于基线(B)而测得的。关于来自照明装置(1)的外部的与基线(B)平行的光线束(R),反射侧面(30)的局部焦距(f)随着局部高度(h)增大。

技术领域

提供了一种照明装置。还提供了一种包括该照明装置的照明系统。

发明内容

要实现的目的是提供一种能够用于在不使建筑物中的人被炫光刺眼或干扰的情况下照射建筑物的正面的照明装置。

该目的尤其通过根据本发明主要方面的照明装置以及照明系统实现。优选的进一步的改善构成根据本发明其他方面的主题。

根据至少一个实施方式,照明装置包括一个或多个发光半导体芯片。所述至少一个发光半导体芯片具有主发光侧面。在主发射侧面处发射半导体芯片中产生的光中的大部分光。可以在主发射侧面处发射所有的辐射。主发射侧面能够由半导体材料形成或由施加至半导体材料的钝化层形成。主发射侧面也可以由围绕半导体芯片——如硅——的铸造材料形成。此外,主发射侧面可以由附接至发光半导体芯片的发光转换元件形成。

根据至少一个实施方式,照明装置包括反射器。该反射器具有反射侧面。该反射侧面面向发光半导体芯片的主发射侧面。反射器设计成形成发光半导体芯片中产生的光的发射模式并且因而反射侧面设计成形成发光半导体芯片中产生的光的发射模式。

根据至少一个实施方式,照明装置具有穿过主发射侧面的基线。即,基线和主发射侧面具有交点。作为替代方案,基线甚至可以是基准面,使得主发射侧面与基线之间的相交区域是交线。特别地,基线和主发射侧面并非彼此平行。基线或基准面优选地为不必实质上具有等同物的虚拟的线或面。

根据至少一个实施方式,反射侧面具有几个局部高度。局部高度中的每个局部高度是基于基线、特别地在垂直于基线的方向上测得的。换句话说,局部高度是反射侧面的特定区域到基线的距离。

根据至少一个实施方式,反射侧面的局部焦距随着局部高度增大。即,基线与反射侧面的特定区域之间的距离越大,该特定区域的局部焦距就越长。这特别适用于能够与基线平行并且来自照明装置的外部的光线束的情况。换句话说,对于与基线平行的光线束,局部焦距针对反射侧面的特定区域而限定,所述特定区域具有基于基线的不同的局部高度。

在至少一个实施方式中,照明装置包括具有主发射侧面的至少一个发光半导体芯片。此外,照明装置包括反射器,该反射器具有面向主发射侧面的反射侧面。基线穿过主发射侧面并且反射侧面的局部高度是基于基线测得的。对于来自照明装置的外部的与基线平行的光线束,反射侧面的局部焦距随着局部高度增大。

在建筑照明中,期望着重照明以及避开建筑物的特定部分。为此,使用相当明亮且强烈的光源,如缩写为LED的发光二极管。然而,现代建筑物通常包括形成为包括大范围的玻璃的正面或立面。对于办公建筑以及住宅建筑来说都是如此。由于高亮度而存在下述问题:由于在使用传统照明装置时大部分的光会进入玻璃立面并且因而进入建筑物,因此建筑物中的人会被建筑照明的炫光刺目。借助于本文描述的具有局部焦距变化的反射侧面的反射器能够避免或大大减小炫光效应。

根据至少一个实施方式,对于基于局部高度h的局部焦距f,以下等式是成立的:

f(h)/F=-0.000029(h/H)3+0.0031(h/H)2-0.0017(h/H)+0.23

在这里,H是反射侧面的在最大焦距F处的最大高度。该公式特别地在公差为最大焦距F的至多10%或5%或2%或1%的情况下是成立的,尤其对每个局部焦距f而言。

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