[发明专利]二羧酸结晶及其制造方法

说明书

本发明提供一种吸油量高的C4二羧酸结晶及其制造方法。一种碳原子数为4的二羧酸结晶，其依据JIS K 5101‑13‑2(2004)所测得的吸油量为40mL/100g～200mL/100g。

技术领域

本发明涉及一种二羧酸结晶，进而涉及一种碳原子数为4的二羧酸结晶及其制造方法。

背景技术

碳原子数为4的二羧酸(以下也称为“C4二羧酸”)除用作树脂原料或食品添加物等以外，也用作沐浴剂的原料。在沐浴剂中，C4二羧酸主要用作酸剂，在沐浴剂组成中占据的比率高。

近年来，为了提高入浴时的保湿效果或温浴效果，通常向沐浴剂中配合油剂。但是，对于粒状或片剂型的沐浴剂难以稳定地配合油剂，实际状况为其配合量较少。

C4二羧酸在工业上是通过源自石化原料的化学合成或微生物发酵而制造，通常精制成结晶。对于C4二羧酸的晶析操作，主要以提高C4二羧酸结晶的精制度及控制粒径为目的而进行研究。例如报告有使用包含圆筒形叶轮、晶析装置的壁及能够旋转的叶轮轴的晶析装置，在选自表面活性剂、缓冲盐类、酸性盐类、或这些的混合物中的至少一种添加剂的存在下，使二羧酸类进行结晶化而制造高纯度且较大的结晶的方法(专利文献1)。在专利文献1中所公开的表面活性剂为聚山梨糖醇酯的Tween20、聚氧乙烯(6)月桂醚(括号内的数字表示环氧乙烷的平均加成摩尔数)、鲸蜡基三甲基溴化铵、十二烷基二甲基溴化铵、十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、双(2-乙基己基)磺基琥珀酸钠、磷脂酰胆碱、磷脂酰乙醇胺。

又，报告有以0.05～200ppm的量添加阴离子性高分子电解质，而自含有有机二羧酸的溶液制造易流动性且能够储存的更大的二羧酸结晶的方法(专利文献2)。

又，报告有自添加有HLB高的非离子表面活性剂的发酵培养基晶析出琥珀酸的方法(专利文献4)。

这些专利文献1、2及4中并未提及C4二羧酸结晶的吸油性。

另一方面，关于C4二羧酸的吸油性，专利文献3中公开有如果将配合至发泡性沐浴剂组成物中的富马酸等有机酸加以粉碎，则有机酸的吸油能力增大的情形。在专利文献3中，使用液状的非离子表面活性剂的有机酸的吸油能力测定的结果显示，平均粒径为35μm的富马酸的吸油能力高于平均粒径140μm的富马酸的吸油能力。

(专利文献1)日本专利特表2003-505441号公报

(专利文献2)日本专利特表2001-511791号公报

(专利文献3)日本专利特开2012-158588号公报

(专利文献4)国际公开第2016/083749号

发明内容

本发明提供一种碳原子数为4的二羧酸结晶，其依据JIS K5101-13-2(2004)所测得的吸油量为40mL/100g～200mL/100g。

又，本发明提供一种碳原子数为4的二羧酸结晶的制造方法，其包括如下工序：在选自(a1)HLB为10以下的具有聚氧乙烯链的非离子表面活性剂、及(a2)HLB小于15的不具有聚氧乙烯链的非离子表面活性剂中的至少1种非离子表面活性剂的存在下，自含有碳原子数为4的二羧酸或其盐的水溶液析出碳原子数为4的二羧酸的结晶。

又，本发明提供一种碳原子数为4的二羧酸结晶的制造方法，其包括如下工序：在选自(b1)非离子性高分子、(b2)阳离子性高分子、及(b3)两性高分子中的至少1种高分子的存在下，自含有碳原子数为4的二羧酸或其盐的水溶液析出碳原子数为4的二羧酸的结晶。

具体实施方式