[发明专利]等离子体设备和等离子体处理方法有效

专利信息
申请号: 201780050105.X 申请日: 2017-06-26
公开(公告)号: CN109564987B 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 叶江波;钱俊;肖禄 申请(专利权)人: 深圳市柔宇科技股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518172 广东省深圳市龙岗区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 设备 处理 方法
【说明书】:

一种等离子体设备(10)。用于对OLED多层膜结构(20)的阳极层(21)进行等离子体处理。等离子体设备(10)包括间隔设置的多个腔室(12)、与多个腔室(12)连接的导气管(14)、以及分别与多个腔室(12)对应连接的多个调节模块(16)。多个腔室(12)用于处理从导气管(14)进入的气体以产生等离子体并将等离子体排出。多个调节模块(16)用于分别调节多个腔室(12)产生的等离子体的浓度。一种等离子体处理方法。

技术领域

发明涉及等离子体处理技术领域,特别涉及一种等离子体设备和等离子体处理方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)的多层膜结构包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层。OLED的多层膜结构形成阶梯式的能阶状态,使得阳极层提供的空穴和阴极层提供的电子更容易传输至有机发光层,空穴与电子结合后放出光子。然而,当空穴由阳极层注入空穴注入层时,阳极层与空穴注入层之间过大的位能差会产生萧基能障,使得空穴不易注入。为了降低位能差,一般通过等离子体设备对阳极层进行等离子体处理的方式来增加阳极层中的氧原子的饱和度,以达到提高阳极层的功函数的目的。目前的等离子体设备都是整体式的结构,对阳极层产生整体性的作用,无法消除阳极层的各区域之间的功函数的差异。

发明内容

本发明实施方式提供一种等离子体设备和等离子体处理方法。

本发明实施方式的等离子体设备,用于对OLED多层膜结构的阳极层进行等离子体处理,所述等离子体设备包括间隔设置的多个腔室、与多个所述腔室连接的导气管、以及分别与多个所述腔室对应连接的多个调节模块,多个所述腔室用于处理从所述导气管进入的气体以产生等离子体并将所述等离子体排出,多个所述调节模块用于分别调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度。

在某些实施方式中,所述导气管形成多条导气通道,每个所述调节模块包括设置在多条所述导气通道上的阀门,所述阀门用于调节进入所述腔室的所述气体的流量以调节所述腔室产生的所述等离子体的浓度。

在某些实施方式中,所述导气管包括开设有进气口的总路及与多个所述腔室对应的多条支路,所述腔室通过对应的所述支路连接至所述总路,多个所述阀门分别设置在多条所述支路上。

在某些实施方式中,每个所述腔室包括第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极相对设置,每个所述调节模块包括电压调节器,所述电压调节器用于调节所述第一电极和/或所述第二电极的电压以调节所述腔室产生的所述等离子体的浓度。

在某些实施方式中,每个所述第二电极设置有均匀分布的多个出气口。

在某些实施方式中,每个所述腔室还包括相对的两个绝缘体侧壁,两个所述绝缘体侧壁连接所述第一电极及所述第二电极,并将相邻的两个所述腔室的两个所述第一电极间隔,及将相邻的两个所述腔室的两个所述第二电极间隔,相邻的两个所述腔室共用一个绝缘体侧壁。

在某些实施方式中,所述多个腔室通过绝缘体间隔设置。

在某些实施方式中,所述第一电极和所述第二电极为金属电极。

在某些实施方式中,所述阳极层采用铟锡氧化物材料。

本发明实施方式的等离子体处理方法,用于对OLED多层膜结构的阳极层进行等离子体处理,所述等离子体处理方法包括:

提供等离子体设备,所述等离子体设备包括间隔设置的多个腔室、与多个所述腔室连接的导气管、以及分别与多个所述腔室对应连接的多个调节模块,多个所述腔室用于处理从所述导气管进入的气体以产生等离子体并将所述等离子体排出,多个所述调节模块用于分别调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度;及

根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度。

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