[发明专利]使用电场将压电层从供体基板分离

权利要求书

1.一种将压电层转移到支撑基板上的方法，该方法包括以下步骤：

a)在压电供体基板(3)中提供预定分裂区域(1)，

b)将所述压电供体基板(3)附接到支撑基板(11)以形成复合结构(13)，以及

c)将所述压电层(21)从所述压电供体基板(3)分离，包括施加直流电场(15)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述压电供体基板由体压电基板制成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述压电供体基板由设置在操控基板上的压电材料层制成。

4.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中，步骤b)包括温度至多100℃的热处理或者在介于15℃至25℃之间的室温下进行。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，步骤b)包括温度至多50℃的热处理。

6.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中，步骤b)在低于10^-2mbar的压力下进行。

7.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中，步骤c)在低于100℃的温度下进行。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，步骤c)在低于50℃的温度下进行。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，步骤c)在介于15℃至25℃之间的室温下进行。

10.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中，使用包括至少一个电极的卡盘来施加所述电场(15)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述复合结构的所述压电供体基板的表面被置于所述卡盘上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述卡盘包括通过电绝缘体分隔的叉指状电极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述电绝缘体是陶瓷。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，施加到所述卡盘的电压最高至10kV。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，施加到所述卡盘的电压在1kV和5kV之间的范围内。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述复合结构被夹在所述卡盘和第二电极之间。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述复合结构被包括在第二卡盘中。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，施加到所述卡盘的电压最高至5kV。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，施加到所述卡盘的电压在200V和1kV之间的范围内。

20.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中，所述电场(15)的方向平行于所述压电供体基板(3)的极化方向(17)。

21.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中，所述压电供体基板(3)是LiTaO₃(LTO)、AIN、ZnO、Pb[Zr_xTi_1-x]O₃(PZT)和LiNbO₃(LNO)中的一种，其中，0≤x1。