[发明专利]电子释放元件、带电装置、以及图像形成装置有效

专利信息
申请号: 201780043766.X 申请日: 2017-07-14
公开(公告)号: CN109478485B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 足立克己;平川弘幸;岩松正 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01J1/312 分类号: H01J1/312
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 汪飞亚;习冬梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 释放 元件 带电 装置 以及 图像 形成
【说明书】:

电子释放元件(20)具备:相互对置地配置的第一电极(30a)以及第二电极(40)、设置于第一电极(30a)与第二电极(40)之间的中间层(50)、在基板(30)之上以厚度d1形成的绝缘层(60)。绝缘层(60)与第一电极(30a)的阶差小于绝缘层(60)的厚度d1。

技术领域

本发明涉及一种对对置地配置的电极之间施加电压,从一方的电极释放电子的电子释放元件、以及具备电子释放元件的带电装置以及图像形成装置。

背景技术

近年来,冷阴极电子释放源应用于电场释放显示面板等,并提出了MIM型、MIS型、CNT型、BSD型、spindt型、以及SED型等各种各样的方式(例如,参照专利文献1)。对于构成这样的电子源的半导电层,提出了各种各样的制成方法,但作为简单的制作工艺,存在有涂布分散有导电粒子的树脂溶液的方法(例如,参照专利文献2)。这样的方法具有如下优点:作为大气中工艺能够降低制造装置的成本、能够甄选树脂并以比较低的低温制作元件。

图10中示出了以往的电子释放元件的概要构成图。在以往的电子释放元件101中,在具有第一电极的基板102之上,层叠作为电子加速层的半导电层104,而且,在半导电层104之上形成作为电子释放面的第二电极105。此外,为了在基板102之上使用布线106等,而设置有形成有任意的图案的绝缘层103的区域(绝缘区域RZ)。也就是说,在电子释放元件101中,半导电层104与基板102直接接触,并设置有作为电子释放区域RD而呈现导电性的区域和绝缘区域RZ。此外,电子释放元件101具备:连接于第一电极和布线106之间的电源111和连接于第一电极与电源111之间并被接地的接地电源112。在电子释放元件101的电子释放区域RD,存在有因凹凸而局部电场集中而产生绝缘损坏的情况、产生电子释放量的偏差的情况,因此重要的是表面状态的管理。

此外,电子释放元件101通过对第一电极(基板102的表面)与第二电极105之间施加电压来实施电子释放,但此时,有时无论电子释放与否而会产生在元件内流通的电流。因此,在形成有布线106等且与电子释放不相关的部分(绝缘区域RZ),为了抑制不必要的元件内产生电流,理想的是形成防止来自基板102侧的电子的流入的绝缘层103。此外,在为了对布线106供电而对接点端子等进行压接的情况下,为了在绝缘层103中产生贯穿布线106、第二电极105、以及半导电层104而流通至基板102的漏电流,优选具有机械性且牢固的性能。

作为形成绝缘层103的方法,存在有在玻璃、陶瓷、以及树脂等绝缘区域材料之上形成导电性薄膜的方法、在导电性基板之上粘贴绝缘片材等方法等。此外,还存在有使铝基板阳极氧化,通过蚀刻等剥离作为电子释放区域RD的区域的阳极氧化覆膜(以下,有时称作耐酸铝膜),从而形成导体部分的方法等(例如,参照专利文献3)。在该方法中,能够由同一材料形成电子释放区域RD和绝缘区域RZ,不仅能够比较廉价地制成,而且耐酸铝膜的绝缘耐性也良好,从而具有抗漏电特性优异的长处。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平1-298623号公报

专利文献2:日本特开2014-7128号公报

专利文献3:日本特开2015-118853号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而,在上述的剥离耐酸铝膜的方法中,发现了以下的课题。在通过蚀刻等形成导体部分后,当在基板102上涂布作为半导电层104的树脂(涂布液)时,在绝缘层103与基板102的阶差的内侧,会产生半导电层104较薄的区域。

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