[发明专利]电子释放元件、带电装置、以及图像形成装置有效
| 申请号： | 201780043766.X | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109478485B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 足立克己;平川弘幸;岩松正 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/312 | 分类号： | H01J1/312 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 释放 元件 带电 装置 以及 图像 形成 | ||
1.一种电子释放元件，其对相互对置地配置的第一电极与第二电极之间施加电压，使电子从所述第二电极释放，
所述电子释放元件的特征在于，具备：
中间层，其设置于所述第一电极与所述第二电极之间；及
绝缘层，其以厚度d1形成于设置有所述第一电极的基板之上，
所述中间层分散有导电性微粒子，
所述绝缘层与所述第一电极的阶差d2小于所述绝缘层的厚度d1，
所述绝缘层设置于所述基板中的、比所述第一电极的上表面低的区域。
2.根据权利要求1所述的电子释放元件，其特征在于，
所述中间层的膜厚d3被设为d23×d3。
3.根据权利要求1所述的电子释放元件，其特征在于，
所述中间层的膜厚d3被设为0.3μmd35μm。
4.根据权利要求1所述的电子释放元件，其特征在于，
所述导电性微粒子的粒径被设为1nm～80nm。
5.根据权利要求1所述的电子释放元件，其特征在于，
所述基板由金属材料形成，
所述绝缘层为阳极氧化覆膜。
6.根据权利要求1所述的电子释放元件，其特征在于，
所述基板由铝形成。
7.根据权利要求1所述的电子释放元件，其特征在于，
所述绝缘层在对所述基板实施了表面处理之后形成。
8.根据权利要求1所述的电子释放元件，其特征在于，
所述第一电极的表面粗糙度Ra被设为0.05μmRa0.8μm。
9.一种带电装置，其特征在于，
将权利要求1所述的电子释放元件用作电子释放源。
10.一种图像形成装置，其特征在于，
具备权利要求9所述的带电装置。
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