[发明专利]带有至少两个叠置的导体路径层的导体路径结构有效
申请号: | 201780038143.3 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN109315064B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | F·莫根塔勒;S·卡尔克 | 申请(专利权)人: | 立联信控股有限公司 |
主分类号: | H05K1/11 | 分类号: | H05K1/11;H05K3/20;G06K19/077;H01L23/498;H05K3/00;H05K3/32 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘盈 |
地址: | 法国曼*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 至少 两个 导体 路径 结构 | ||
1.导体路径结构,所述导体路径结构包括至少一个具有多个第一导体路径(11;11a-11f)的第一导体路径层(10)和至少一个具有多个第二导体路径(21;21a-21f)的第二导体路径层(20),叠置的第一导体路径层和第二导体路径层由绝缘体(30)分开,第一导体路径层(10)的至少一个第一导体路径具有贯穿第一导体路径的至少一个接合口(12;12a-12e)并且所述绝缘体(30)具有处于所述至少一个接合口(12;12a-12e)下方的通孔,接合线能穿过所述通孔并与第二导体路径层(20)的第二导体路径(21;21a-21f)导电接触,并且第一导体路径层(10)的至少一个第一导体路径和第一导体路径层(10)的与其相邻的导体路径通过至少一个缝槽(13;13a-13i)彼此分开,并且第二导体路径层(20)的至少一个第二导体路径和第二导体路径层(20)的与其相邻的导体路径通过至少一个另外的缝槽(23、23a-23e)彼此分开,其特征在于,第一导体路径层(10)的所述至少一个缝槽(13;13a-13i)关于第二导体路径层(20)的所述至少一个另外的缝槽(23;23a-23e)彼此错开布置。
2.根据权利要求1所述的导体路径结构,其特征在于,至少一个缝槽穿过接合口,通入接合口中或从接合口伸出。
3.根据权利要求1或2所述的导体路径结构,其特征在于,设置在相邻导体路径层之间的绝缘体(30)构造为电绝缘的膜(31),该电绝缘的膜具有至少一个用于接合线的通孔。
4.根据权利要求3所述的导体路径结构,其特征在于,所述膜(31)在至少一侧上设有粘合剂层。
5.根据权利要求1或2所述的导体路径结构,其特征在于,所述导体路径结构(1)的至少一个导体路径层至少在其边缘区域(10a-10d;20a-20d)的局部区域(14;24)中不含导电材料。
6.根据权利要求1或2所述的导体路径结构,其特征在于,所述导体路径结构用于智能卡应用的引线框架。
7.根据权利要求4所述的导体路径结构,其特征在于,所述膜(31)在两侧上设有粘合剂层。
8.电子装置,其具有用于容纳电子构件的导体路径结构(1),所述电子构件能插到导体路径结构(1)中或上并且能借助至少一个接合线与导体路径结构(1)连接,其特征在于,所述导体路径结构(1)根据权利要求1至7之一构造。
9.根据权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述电子装置是智能卡。
10.根据权利要求8或9所述的电子装置,其特征在于,所述电子构件是芯片。
11.用于制造根据权利要求1至7之一所述的导体路径结构的方法,其特征在于,在用于制造第一导体路径层的基底材料中引入用于分开相邻导体路径的缝槽。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在所述基底材料的导电层中引入空隙(40)以形成第一导体路径层(10)的非导电边缘区域。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在用于制造第二导体路径层的基底材料中引入用于分开相邻导体路径的另外的缝槽。
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