[发明专利]用于真空环境的高亮度含硼电子束发射器在审
| 申请号： | 201780034257.0 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109314026A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | W·G·舒尔茨;G·德尔加多;F·希尔;E·加西亚（贝里奥斯）;R·加西亚 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J33/04 | 分类号： | H01J33/04;G21K5/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射器 金属硼化物 圆形尖端 电子束 电子束发射器 移除材料 真空环境 电场 单晶棒 施加 | ||
1.一种设备，其包括：
发射器，其含有金属硼化物材料，其中所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属硼化物材料包含选自由碱金属、碱土金属、过渡金属、镧系元素，和锕系元素组成的列表的物种。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属硼化物材料是金属六硼化物材料。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属硼化物材料包含LaB6。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述发射器可具有小于1mm2的发射面积。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属硼化物材料具有<100>晶体定向。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述半径为700nm或更小。
8.根据权利要求1所述的设备，其中所述半径为450nm或更小。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述半径为100nm或更小。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少部分圆形尖端包含平坦发射小面。
11.根据权利要求1所述的设备，其中所述发射器具有小于1μm2的发射面积。
12.一种方法，其包括：
提供含有金属硼化物材料的发射器，其中所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端；
施加电场到所述发射器；及
从所述发射器产生电子束。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述产生发生在低温场发射模式中。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述产生发生在室温场发射模式中。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述产生发生在暖温场发射模式中，其中所述暖温场发射模式在高于环境且低于1000K的温度下操作。
16.根据权利要求12所述的方法，其中所述产生发生在热场模式中。
17.根据权利要求12所述的方法，其中所述产生发生在光阴极模式中。
18.根据权利要求12所述的方法，其中所述产生发生在10-9托或更小的操作压力下。
19.根据权利要求12所述的方法，其中所述产生发生在10-11托或更小的操作压力下。
20.一种方法，其包括：
从单晶棒移除材料以形成含有金属硼化物材料的发射器，其中所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。
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