[发明专利]表面被覆切削工具有效
申请号: | 201780024349.0 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN109070235B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 三角周平;福井治世;今村晋也;广濑和弘;竹下宽纪 | 申请(专利权)人: | 住友电工硬质合金株式会社 |
主分类号: | B23B27/14 | 分类号: | B23B27/14;C23C14/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张苏娜;樊晓焕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 被覆 切削 工具 | ||
1.一种表面被覆切削工具,包括:
基材;以及
在所述基材的表面上形成的覆膜,
所述覆膜包括交替层,
所述交替层包括具有第一组成的第一层和具有第二组成的第二层,
所述交替层通过交替地堆叠至少一个第一层和至少一个第二层而形成,
所述第一层和所述第二层各自的厚度为2nm以上100nm以下,
所述第一组成表示为TiaAlbSicN,其中a、b和c满足条件0.25≤a≤0.45,0.55≤b≤0.75,0≤c≤0.1,a+b+c=1,
所述第二组成表示为TidAleSifN,其中d、e和f满足条件0.35≤d≤0.55,0.45≤e≤0.65,0<f≤0.1,d+e+f=1,并且
所述第一组成和所述第二组成满足条件0.05≤d-a≤0.2和0.05≤b-e≤0.2,
所述覆膜还包括密着层,
所述密着层介于所述基材和所述交替层之间,并与所述基材和所述交替层两者相接触。
2.根据权利要求1所述的表面被覆切削工具,其中
所述第一组成满足条件0<c≤0.05。
3.根据权利要求1或2所述的表面被覆切削工具,其中
所述第二组成满足条件0<f≤0.05。
4.根据权利要求1或2所述的表面被覆切削工具,其中
所述基材含有WC颗粒,
所述密着层的厚度为0.5nm以上50nm以下,
所述密着层包含选自由金属碳化物、金属氮化物和金属碳氮化物组成的组中的至少一种化合物,并且
该化合物含有
W,
Al和Si中的至少一者,和
选自由Cr、Ti、Zr和Nb组成的组中的至少一者。
5.根据权利要求3所述的表面被覆切削工具,其中
所述基材含有WC颗粒,
所述密着层的厚度为0.5nm以上50nm以下,
所述密着层包含选自由金属碳化物、金属氮化物和金属碳氮化物组成的组中的至少一种化合物,并且
该化合物含有
W,
Al和Si中的至少一者,和
选自由Cr、Ti、Zr和Nb组成的组中的至少一者。
6.根据权利要求4所述的表面被覆切削工具,其中
所述密着层含有碳和氮,
在所述密着层的厚度方向上,碳的含量从第一界面朝向第二界面降低,并且在所述第二界面处最低,而氮的含量从所述第一界面朝向所述第二界面升高,并且在所述第二界面处最高,所述第一界面为所述基材与所述密着层之间的界面,所述第二界面为所述密着层与所述交替层之间的界面。
7.根据权利要求5所述的表面被覆切削工具,其中
所述密着层含有碳和氮,
在所述密着层的厚度方向上,碳的含量从第一界面朝向第二界面降低,并且在所述第二界面处最低,而氮的含量从所述第一界面朝向所述第二界面升高,并且在所述第二界面处最高,所述第一界面为所述基材与所述密着层之间的界面,所述第二界面为所述密着层与所述交替层之间的界面。
8.根据权利要求4所述的表面被覆切削工具,其中
在所述基材的与所述密着层接触的部分中,所述WC颗粒占该部分的80%以上。
9.根据权利要求5所述的表面被覆切削工具,其中
在所述基材的与所述密着层接触的部分中,所述WC颗粒占该部分的80%以上。
10.根据权利要求6所述的表面被覆切削工具,其中
在所述基材的与所述密着层接触的部分中,所述WC颗粒占该部分的80%以上。
11.根据权利要求7所述的表面被覆切削工具,其中
在所述基材的与所述密着层接触的部分中,所述WC颗粒占该部分的80%以上。
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