[发明专利]包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)的结构单元的聚合物，

式中，n1为结构单元的重复数，表示1～10的整数，n2表示1或2的整数。

2.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，式(1)的结构单元为式(2)的结构单元，

式中，n1为结构单元的重复数，表示1～10的整数。

3.如权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，还包含交联剂。

4.如权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，还包含酸及/或产酸剂。

5.一种抗蚀剂下层膜的制造方法，其包括：将权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上并进行烧成的步骤。

6.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：由权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；在该抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；通过对该抗蚀剂膜照射光或电子束并进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；通过该抗蚀剂图案对该抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；及通过图案化了的该抗蚀剂下层膜对该半导体基板进行加工的工序。

7.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：由权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；在该抗蚀剂下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过对该抗蚀剂膜照射光或电子束并进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；通过该抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；通过该图案化了的硬掩模对该抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；及通过该图案化了的抗蚀剂下层膜对该半导体基板进行加工的工序。

8.如权利要求6或7所述的制造方法，其中，所述半导体基板的加工是该半导体基板的蚀刻或向该半导体基板进行的离子注入。

9.如权利要求6或7所述的制造方法，其中，所述半导体基板的加工是向该半导体基板进行的包含硼、砷、磷、或它们的组合的成分的离子注入。