[发明专利]用于校正从目标裸片及参考裸片的比较所产生的差异图像的系统、方法及计算机程序产品

说明书

本发明提供一种用于校正从目标裸片及参考裸片的比较所产生的差异图像的系统、方法及计算机程序产品。在使用中，执行目标裸片图像的裸片内检验以针对每一关注图案产生第一代表性图像。执行参考裸片图像的裸片内检验以针对所述关注图案中的每一者产生第二代表性图像。进一步来说，比较所述目标裸片图像及所述参考裸片图像以产生至少一个差异图像，且使用所述所产生的第一代表性图像中的每一者及所述所产生的第二代表性图像中的每一者校正所述至少一个差异图像。接着使用所述经校正差异图像执行检测。

相关申请

本申请主张2016年4月22日申请的第62/326,684号美国临时专利申请的权利，所述申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及晶片检验，且更特定来说涉及检测晶片中的缺陷。

背景技术

当前，可以通过比较制造于晶片上的目标裸片与制造于晶片上的参考裸片而检测晶片中的缺陷。检验系统通过出于比较目的取得目标裸片及参考裸片的图像而完成这一操作。特定来说，检测缺陷通常涉及执行两个单独比较以产生两个单独结果，一个比较是在所述目标裸片与多个所述参考裸片中的一者之间且另一比较是在所述目标裸片与多个所述参考裸片中的另一者之间。所述两个单独比较结果之间的任何类似性一般用作所述目标裸片中的缺陷的指标。此过程被称作双重差异检测，其可应用到过程窗限定(PWQ)晶片、焦点曝光矩阵(FEM)晶片、非调制晶片等。

现有技术图1展示PWQ晶片的传统布局，其呈列102形式的多个目标裸片，每一目标裸片是通过参数(例如，焦点(F)及曝光(E))值的不同组合调制(即，放大)的相同图案；且进一步呈列104、106形式的多个参考裸片，参考裸片坐落于一列目标裸片的任一侧上且每一参考裸片是相同图案的标称(即，非调制)版本。因此，针对列102中的目标裸片中的任何特定一者，来自列104的参考裸片及来自列106的参考裸片可用于使用双重差异检测来检测特定目标裸片(见框108)中的缺陷。虽然所述参考裸片展示为邻近于所述目标裸片，但未必总是这种情况。例如，在其它晶片配置中，用于任何特定目标裸片的参考裸片可为最接近于但未必邻近于所述特定目标组件的所述参考裸片。

在另一众所周知的实施例中(未展示)，FEM晶片具有裸片矩阵，其中所述裸片的所述参数依矩阵布局调制。在此实施例中，最中心裸片可为标称的或至少是晶片上的所有裸片中最标称的。双重差异检测可应用于晶片上的任何目标裸片，其中对应参考裸片是邻近于矩阵内的目标裸片的参考裸片。

不幸的是，通过这些逐裸片比较而获得的结果的精确度可能因为目标裸片及参考裸片中的非临界差异而受到负面影响。例如，过程窗限定(PWQ)晶片及焦点曝光矩阵(FEM)晶片中的目标裸片及/或参考裸片的目的性调制固有地产生可在双重差异检测期间被错误地检测为缺陷的这些非临界差异。当然，非调制晶片可能因为跨裸片图像的偶然但非临界的差异(其是归因于检验系统本身内的误差)而受到类似影响。

现有技术图2展示传统缺陷检测方法的效应的实例，其中仅采用目标组件的调制。图2中，随着针对目标组件的调制增加，目标组件(包含缺陷及非缺陷)的每一部分的尺寸也增加，因此引起目标组件与参考组件之间在逐部分基础上的区分，而无论实际缺陷如何。如展示，与依较低调制相比，依较高调制由所述比较所致的差异图像包含额外差异。揭示上文描述的现有技术的现有专利包含第8,213,704号美国专利及第6,902,855号美国专利，所述专利的描述以全文引用的方式并入本文中。

因此存在解决与用于制成组件中的缺陷检测的现有技术相关联的这些及/或其它问题的需要。

发明内容