[发明专利]低弯曲损耗光纤

说明书

本文揭示的波导光纤包括：(I)纤芯，其包括外半径r₁、折射率Δ百分比Δ_1最大值、和纤芯α，α大于5；以及(II)围绕纤芯的包层，所述包层包含：(i)内包层区域，其具有外半径r₂和折射率Δ百分比Δ₂，其中，Δ_1最大值Δ₂；(ii)围绕内包层区域的凹槽区域，所述凹槽区域具有外半径r₃，其中，r₃≥10微米，和折射率Δ百分比Δ₃；和(iii)围绕凹槽区域的外包层区域，所述外包层区域具有氯浓度≥1.2重量％且包括折射率Δ百分比Δ₄，其中，Δ_1最大值Δ₄和Δ₂Δ₃和Δ₄Δ₃，以及其中，Δ₄与Δ₃之间的差异≥0.12％。

本申请根据35U.S.C.§119，要求2016年03月29日提交的美国临时申请系列第62/314,607号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及具有低弯曲损耗的光纤。

背景技术

存在对于低弯曲损耗的光纤的需求，特别是用于所谓的接入“(acces)”的光纤以及前体(FTTx)光学网络的光纤。可以在此类网络中以诱发传输通过光纤的光信号中的弯曲损耗的方式配置光纤。一些施加诱发弯曲损耗的物理需求(例如紧弯曲半径、光纤的压缩等)的应用包括光纤在光学下降电缆组件中的配置，具有工厂安装终端系统(FITS)和膨胀圈的分布电缆，位于连接馈电线和分布电缆的机柜内的小弯曲半径多端口，以及分配器和下降电缆之间的网络接入点中的跳线。

发明内容

根据至少一些实施方式，本文揭示的光波导光纤包括：(I)纤芯，其包括外半径r₁、折射率Δ百分比Δ_1最大值、和纤芯α，α5；以及(II)围绕纤芯的包层，所述包层包含：(i)内包层区域，其具有外半径r₂和折射率Δ百分比Δ₂，其中，Δ_1最大值Δ₂；(ii)围绕内包层区域的凹槽区域，所述凹槽区域具有外半径r₃，其中，r₃≥10微米，和折射率Δ百分比Δ₃；和(iii)围绕凹槽区域的外包层区域，所述外包层区域具有氯浓度≥1.2重量％且包括折射率Δ百分比Δ₄，其中，Δ_1最大值Δ₄和Δ₂Δ₃和Δ₄Δ₃，以及其中，Δ₄与Δ₃之间的差异≥0.12％。光纤具有：在1310nm波长处的模场直径MFD9微米，小于1260nm的光缆截止，对于15mm直径心轴在1550nm处小于0.5dB/圈的弯曲损耗，以及1300nm≤λ₀≤1324nm，其中，λ₀是零色散波长。

在一些实施方式中，凹槽区域的分布体积|V₃|至少是30％Δ微米²。在一些实施方式中，凹槽区域的分布体积|V₃|至少是45％，以及在一些实施方式中，至少是50％Δ微米²。根据一些实施方式，纤芯α至少是10。

在包层中具有凹槽区域(凹陷折射率区域)的光纤具有改进的(降低的)微弯曲损耗。可以通过对凹槽区域进行负掺杂(例如通过氟(F)掺杂或者通过非周期性空穴掺杂)或者通过外包层区域的正掺杂形成包层中的凹槽区域。在其他实施方式中，光纤可同时包括凹槽区域和相对于二氧化硅(SiO₂)进行了正掺杂的外包层区域，即包层区域包含增加折射率的掺杂剂，例如氧化锗(GeO₂)或氯(Cl)，其含量足以显著提升二氧化硅的折射率。