[发明专利]低弯曲损耗光纤

权利要求书

1.一种单模光纤，其包括：

(I)纤芯，其具有外半径r₁，最大折射率Δ百分比Δ_1最大值，和纤芯α5；

(II)围绕所述纤芯的包层，所述包层包括：

(i)内包层区域，其具有外半径r₂和折射率Δ百分比Δ₂，其中，Δ_1最大值Δ₂；和

(ii)围绕所述内包层区域的凹槽区域，所述凹槽区域具有外半径r₃10微米和折射率Δ百分比Δ₃；和

(iii)围绕所述凹槽区域的外包层区域，所述外包层区域具有氯浓度大于1.2重量％且包括折射率Δ百分比Δ₄；其中，Δ_1最大值Δ₄和Δ₂Δ₃和Δ₄Δ₃，以及其中，Δ₄-Δ₃≥0.12％，并且所述光纤展现出：在1310nm波长处的模场直径MFD9微米，小于1260nm的光缆截止，对于15mm直径心轴在1550nm处小于0.5dB/圈的弯曲损耗，1300nm≤λ₀≤1324nm，其中，λ₀是零色散波长，以及1550nm处-60℃时小于或等于0.05dB/km的织篮微弯曲损耗。

2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述凹槽区域的分布体积|V₃|至少是30％Δ微米²。

3.如权利要求2所述的光纤，其特征在于，所述凹槽区域的分布体积|V₃|至少是45％Δ微米²。

4.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，Δ₄-Δ₃≥0.15％。

5.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，Δ_1最大值-Δ₂≥0.25％，和Δ_1最大值-Δ₃≥0.35，和Δ₂-Δ₃≥0.08％。

6.如权利要求5所述的光纤，其特征在于，0.15％≤Δ₄-Δ₃≤0.4％。

7.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述纤芯具有小于10重量％的氧化锗。

8.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述凹槽区域含有0至2重量％的氟。

9.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述外包层区域包括Cl浓度≥1.5重量％。

10.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，内包层半径与纤芯半径之比是1.2r₂/r₁2.5。

11.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还展现出1550nm处小于或等于0.05dB/km的丝网覆盖鼓微弯曲损耗。

12.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还展现出1550nm处小于或等于0.01dB/km的丝网覆盖鼓微弯曲损耗。

13.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述凹槽区域基本不含氟和氧化锗。

14.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，对于从r₃延伸到至少30微米半径的径向位置，Δ₄≥Δ₂。