[发明专利]放热构件用组合物、放热构件、电子机器及放热构件的制造方法

权利要求书

1.一种放热构件用组合物，其特征在于包含：

与第1偶合剂的一端键结的导热性的第1无机填料；及

与第2偶合剂的一端键结的导热性的第2无机填料；

通过硬化处理，所述第1偶合剂的另一端与所述第2偶合剂的另一端分别键结于二官能以上的倍半硅氧烷，或者

所述第1偶合剂与所述第2偶合剂的至少一者在其结构中包含倍半硅氧烷，且所述第1偶合剂的另一端与所述第2偶合剂的另一端相互键结。

2.根据权利要求1所述的放热构件用组合物，其中所述第1无机填料与所述第2无机填料为氮化物、金属氧化物、硅酸盐化合物、或碳材料。

3.根据权利要求1或2所述的放热构件用组合物，其中所述第1无机填料与所述第2无机填料为选自氮化硼、氮化铝、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纤维、碳纳米管、氧化铝、堇青石中的至少一者。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的放热构件用组合物，其还包含具有与所述第1无机填料及所述第2无机填料不同的热膨胀率的第3无机填料。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的放热构件用组合物，其还包含所述第1无机填料及所述第2无机填料所未键结的有机化合物或高分子化合物。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的放热构件用组合物，其中所述二官能以上的倍半硅氧烷为具有氧杂环丙基、氧杂环丙烯基、琥珀酸酐、邻苯二甲酸酐、或3，4-环氧环己基的倍半硅氧烷。

7.根据权利要求6所述的放热构件用组合物，其中所述二官能以上的倍半硅氧烷为选自式(1)及式(2)分别所表示的化合物的群组中的化合物。

[化1]

[此处，R独立地为碳数1～45的烷基、碳数4～8的环烷基、芳基、或芳基烷基；在碳数1～45的烷基中，任意的氢可被氟取代，而且任意的-CH₂-可被-O-或-CH＝CH-取代；在芳基及芳基烷基中的苯环中，任意的氢可被卤素或碳数1～10的烷基取代；在所述碳数1～10的烷基中，任意的氢可被氟取代，而且任意的-CH₂-可被-O-或-CH＝CH-取代；在芳基烷基中的亚烷基中，碳原子的数量为1～10，而且任意的-CH₂-可被-O-取代；而且，Y¹分别独立地为式(a)所表示的基团。]

[化2]

[此处，X独立地为环戊基、环己基、任意的氢可被氟取代，而且一个-CH₂-可被-O-取代的碳数1～10的烷基、任意的氢可被卤素或碳数1～10的烷基取代的苯基、包含任意的氢可被卤素或碳数1～10的烷基取代的苯基与碳数1～4的亚烷基的苯基烷基、或者具有氧杂环丙基、氧杂环丙烯基、琥珀酸酐、邻苯二甲酸酐、或3，4-环氧环己基的基团；在作为苯基的取代基的碳数1～10的烷基中，任意的氢可被氟取代，而且任意的-CH₂-可被-O-取代；在苯基烷基的亚烷基中，一个-CH₂-可被-O-取代；而且，X的至少一者为具有氧杂环丙基、氧杂环丙烯基、琥珀酸酐、邻苯二甲酸酐、或3，4-环氧环己基的基团。]

[化3]

[此处，R与式(1)中的R具有相同的含义，Y²为式(b)所表示的基团或式(c)所表示的基团。]

[化4]

[此处，在式(b)及式(c)的各式中，X与式(a)中的X具有相同的含义，而且式(c)中的Z为-O-、-CH₂-或单键。]