[发明专利]用于自动多区带检测及建模的系统及方法有效
申请号: | 201780015110.7 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN108886004B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | J·纳贝特;O·N·德米雷尔;R·卡鲁-尚穆加姆;G(俊)·侯;C·斯帕卡;H·浩;S·舍温;F·阿尼斯;M·D·史密斯;W(比尔)·皮尔逊 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 自动 多区带 检测 建模 系统 方法 | ||
1.一种半导体工具,其包括:
照射源,其经配置以产生照射光束;
一或多个照射光学元件,其经配置以将所述照射光束的一部分引导到样本;
检测器;
一或多个收集光学元件,其经配置以将从所述样本发出的辐射引导到所述检测器;及
控制器,其以通信方式耦合到所述检测器,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令经配置以致使所述一或多个处理器:
基于由所述检测器响应于来自所述照射光束的照射而进行的对从所述样本发出的辐射的收集而在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据;
选择用于对准区带确定的分析区域,所述分析区域包括跨越所述样本的所述多个位置中的至少一些;
通过在提供选定触发条件的选定容限内最小化与两个或更多个对准区带内的不同位置相关联的所述对准数据的部分的区间变化来确定将所述分析区域划分成具有不同对准标志的所述两个或更多个对准区带的一或多个区带边界;
当满足规定触发条件时,使用两个或更多个对准模型对与所述两个或更多个对准区带相关联的所述对准数据的所述部分进行建模;及
提供重叠数据以校正所述样本或一个或多个附加样本中的至少一个中的重叠误差,其中所述重叠数据基于当满足所述规定触发条件时施加到所述两个或更多个对准区带的所述两个或更多个对准模型。
2.根据权利要求1所述的半导体工具,其中选择用于对准区带确定的所述分析区域包括:
选择候选分析区域,所述候选分析区域包括跨越所述样本的所述多个位置中的至少一些;
定义扫掠参数,使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区;
针对由所述分析区域定界的所述扫掠参数的多个值评估是否满足所述规定触发条件;及
如果针对所述扫掠参数的至少一个值满足所述规定触发条件,那么将所述候选分析区域定义为所述分析区域。
3.根据权利要求2所述的半导体工具,其中所述规定触发条件包括:
与所述第一区相关联的所述对准数据的一部分的平均值和与所述第二区相关联的所述对准数据的一部分的平均值之间的绝对值差大于与所述候选分析区域相关联的所述对准数据的一部分的平均值的规定百分比。
4.根据权利要求3所述的半导体工具,其中所述规定百分比在10%到20%的范围内。
5.根据权利要求3所述的半导体工具,其中所述规定百分比是大约15%。
6.根据权利要求1所述的半导体工具,其中选择用于对准区带确定的所述分析区域包括:
包含所述样本的具有统计显著对准数据的区。
7.根据权利要求1所述的半导体工具,其中确定将所述分析区域划分成所述两个或更多个对准区带的所述一或多个区带边界包括:
定义扫掠参数,使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区;及
选择所述扫掠参数的值作为区带边界以在规定容限内使应用于所述第一区的对准信号度量与应用于所述第二区的所述对准信号度量之间的差最小化,其中所述区带边界将所述分析区域划分成第一对准区带及第二对准区带。
8.根据权利要求7所述的半导体工具,其中选择所述扫掠参数的所述值作为所述区带边界包括:
选择所述扫掠参数的所述值作为所述区带边界以在所述规定容限内使与所述第一区相关联的所述对准数据的所述部分的标准偏差和与所述第二区相关联的所述对准数据的所述部分的标准偏差之间的差最小化。
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