[发明专利]声吸收器、吸声壁以及设计和生产方法

权利要求书

1.一种声吸收装置(3、6、7、8)，包括限定腔(30、80)的外壳(38、39、88、89)，该腔通过穿过具有确定的厚度的前壁(37)的至少一个孔向外开放到入口方向，从而形成具有确定的开口表面(A31)和确定的长度(L31)的颈部(31、61、71、81)，所述外壳和所述颈部的尺寸被确定为一起形成用于第一频率或频率范围的亥姆霍兹谐振器，该第一频率或频率范围称为固有频率，其特征在于，

所述声吸收装置包括至少一个移动元件或晶片(32、62、72、72'、92a、92b)，通过一个或更多个机械连接件或悬架(33、6140、931a、931b)在部分地阻挡所述至少一个颈部的位置处悬挂于所述外壳，即在其全部或部分行程上未密封；并且其中，所述悬架的刚度和所述晶片的刚度是结合确定的，使得所述晶片沿着入射波的方向以“活塞”型谐振模式在不同于所述第一频率的第二频率或频率范围内振动，从而实现对该第二频率或频率范围的吸收。

2.根据权利要求1所述的声吸收装置，其特征在于，所述晶片(32、62、72、72'、92a、92b)由选自以下材料中的一种或更多种制成：硅、石英、氧化铝、钛及其合金、钢、铝及其合金、塑料。

3.根据权利要求1或2所述的声吸收装置，其特征在于，所述悬架(33、6140、931a、931b)由材料并根据提供弹性行为的几何形状制成，其中，对于平均直径在10mm和20mm之间的晶片，晶片在其周边的移动的刚度小于6N/m。

4.根据权利要求1或2所述的声吸收装置，其特征在于，所述悬架(33)包括将所述晶片(32)连接到所述外壳的细长臂，所述细长臂具有围绕所述晶片、平行于所述颈部(31)和/或所述晶片(32)的边缘延伸的形状。

5.根据权利要求4所述的声吸收装置，其特征在于，所述晶片通过借助于在与所述外壳成一体的板或片(320、512、612)中制成一个或更多个切口(330)以便形成悬架臂(331)而相对于所述外壳可移动的部分，从而在所述板或片(320、512、612)内制成。

6.根据权利要求1或2所述的声吸收装置，其特征在于，所述晶片(62、72、72')通过在两端从所述颈部突出的一个或更多个前进部保持在所述颈部中，所述前进部在所述晶片周边的前面延伸，从而形成防止所述晶片从所述颈部脱离的止挡件。

7.根据权利要求1或2所述的声吸收装置，其特征在于，所述晶片(72、72')具有以在足够确定的长度上的确定的偏差与所述颈部的内表面一致的周边，结合所述偏差以及所述颈部和所述晶片的材料的性质，允许所述晶片沿所述颈部移动而不会由于倾斜和拱起使其阻塞。

8.根据权利要求1或2所述的声吸收装置，其特征在于，所述晶片由扬声器的膜(82)形成，所述扬声器通过柔性外围密封件(83、84)固定到外框架(87、85)，并且所述密封件具有一个或更多个切口(830、840)，所述切口(830、840)围绕所述晶片的周边的至少20％。

9.根据权利要求1或2所述的声吸收装置，其特征在于，所述晶片(32)还通过电磁系统(324、374、824、874)与所述外壳相互作用，以便形成扬声器的膜，并且所述电磁系统由电子电路控制以便：

-实现有源的声吸收，和/或

-改变所述扬声器的声阻抗，从而增强吸收，改变吸收频率，扩大吸收频率范围，或实现这些效果的组合。

10.根据权利要求1所述的声吸收装置，其特征在于，所述声吸收装置(3、6、7、8)是无源吸收器。

11.根据权利要求1所述的声吸收装置，其特征在于，所述悬架的刚度和所述晶片的刚度以比值的方式确定。

12.根据权利要求1所述的声吸收装置，其特征在于，所述第二频率或频率范围低于所述第一频率。