[发明专利]荧光体及其制造方法、含荧光体构件以及发光装置或投影仪有效
| 申请号: | 201780009385.X | 申请日: | 2017-02-02 |
| 公开(公告)号: | CN108603113B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
| 发明(设计)人: | 猪股大介;新井祐辅;岛村清史;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 | 申请(专利权)人: | 株式会社田村制作所;国立研究开发法人物质·材料研究机构 |
| 主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;C09K11/02;G03B21/00;G03B21/14;H01S5/022 |
| 代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 徐谦;刘宁军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 荧光 及其 制造 方法 构件 以及 发光 装置 投影仪 | ||
1.一种含荧光体构件,包含:
粒径D50具有40μm以上的规定值的、具有由组成式(Y1-x-y-zLuxGdyCez)3+aAl5-aO12表示的组成的、上述组成式中的x、y、z以及a的值分别满足0≤x≤0.9994、0≤y≤0.0669、0.001≤z≤0.004、-0.016≤a≤0.315的范围、包括以YAG系晶体或LuAG系晶体为母晶的YAG系或LuAG系单晶荧光体的粒子状的单晶荧光体的群;以及
将上述粒子状的单晶荧光体的群密封的、热传导率比上述单晶荧光体低的透明的由无机材料构成的密封构件。
2.根据权利要求1所述的含荧光体构件,
上述粒径D50的上述规定值为40μm、60μm或者100μm。
3.根据权利要求1所述的含荧光体构件,
上述粒径D50的上述规定值为120μm以下。
4.根据权利要求1所述的含荧光体构件,
上述粒子状的单晶荧光体的群的各个粒子具有曲面化的表面。
5.根据权利要求1所述的含荧光体构件,
上述粒子状的单晶荧光体的群的上述组成式的z的值在0.001≤z≤0.004的范围内连续地分布。
6.一种发光装置,包含:
权利要求1所述的含荧光体构件;以及
发光元件,其出射用于激发上述含荧光体构件的蓝色光。
7.根据权利要求6所述的发光装置,
上述发光元件为激光二极管。
8.一种投影仪,包含:
权利要求6所述的发光装置;
图像形成部,其使用上述发光装置的出射光形成图像;以及
透镜,其将上述图像形成部所形成的上述图像投影到外部的投影面。
9.一种含荧光体构件的制造方法,包含:
准备具有由组成式(Y1-x-y-zLuxGdyCez)3+aAl5-aO12表示的组成的、上述组成式中的x、y、z以及a的值分别满足0≤x≤0.9994、0≤y≤0.0669、0.001≤z≤0.004、-0.016≤a≤0.315的范围、以YAG系晶体或LuAG系晶体为母晶的YAG系或LuAG系单晶荧光体的块的步骤;
将上述块粉碎而形成粒径D50具有40μm以上的规定值的粒子状的单晶荧光体的群的步骤;以及
用热传导率比上述单晶荧光体低的透明的由无机材料构成的密封构件,将上述粒子状的单晶荧光体的群密封的步骤。
10.根据权利要求9所述的含荧光体构件的制造方法,
在将上述块粉碎的步骤中,将上述规定值设为40μm、60μm或者100μm。
11.根据权利要求9所述的含荧光体构件的制造方法,
在将上述块粉碎的步骤中,将上述规定值设为120μm以下。
12.根据权利要求9所述的含荧光体构件的制造方法,
上述以YAG系晶体或LuAG系晶体为母晶的YAG系或LuAG系单晶荧光体的块的上述组成式中的z的值沿着上述块的提拉方向在0.001~0.004之间连续地分布。
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