[发明专利]荧光体和其制造方法有效
| 申请号: | 201780008808.6 | 申请日: | 2017-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN108603114B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
| 发明(设计)人: | 碓井大地;竹村博文;松田直寿 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号: | C09K11/84 | 分类号: | C09K11/84;C09K11/08 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 荧光 制造 方法 | ||
本发明实施方式的荧光体具有组成式:NaxRMySzOa所表示的组成(式中,R表示选自由Y、La、Gd及Lu构成的组中的至少一种元素,M表示选自由Bi、Ce、Eu及Pr构成的组中的至少一种元素,x为满足0.93x1.07的原子比,y为满足0.00002y0.01的原子比,z为满足1.9z2.1的原子比,a为满足0.001a0.05的原子比)。
技术领域
本发明的实施方式涉及荧光体和其制造方法。
背景技术
作为X射线检测器用的闪烁器材料(将X射线转换成可见光的荧光体材料)或显示装置的红色荧光体或蓝色荧光体等,已知有经Bi、Ce、Eu等活化后的NaGdS2系荧光体(钠稀土类硫化物系荧光体)。作为这样的荧光体的一个制造方法,可列举出使各金属元素的硫化物反应的方法。使用硫化物的方法具有作为杂质的氧的混入少、制造容易这样的优点。然而,一般而言高纯度的硫化物原料难以获得,基于杂质的混入而难以使发光强度提高。
通过使用纯度较高原料的获得容易的氧化物系原料、并在硫化氢中进行烧成而硫化,也能够制造NaGdS2系荧光体。使用了氧化物系原料的制造方法适于少量的试制,但如果想要制造大量的荧光体,则具有以下难点:来源于氧化物系原料的氧的残留量的控制困难,容易残留比较大量的氧,并且由此该晶粒生长容易变得不充分。这些会成为发光强度下降的主要原因。由于这样的情况,所以要求提高氧的残留量的控制性等而提高了发光强度的钠稀土类硫化物系荧光体、和能够比较容易且大量地制造那样的荧光体的制造方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5702903号公报
发明内容
本发明所要解决的课题在于提供提高了发光强度的钠稀土类硫化物系荧光体和其制造方法。
实施方式的荧光体具有:
组成式:NaxRMySzOa
所表示的组成。
(式中,R表示选自由Y、La、Gd及Lu构成的组中的至少一种元素,M表示选自由Bi、Ce、Eu及Pr构成的组中的至少一种元素,x为满足0.93x1.07的原子比,y为满足0.00002y0.01的原子比,z为满足1.9z2.1的原子比,a为满足0.001a0.05的原子比。)
实施方式的制造方法是实施方式的上述荧光体的制造方法,其具备下述工序:将第1化合物、第2化合物和第3化合物按照可得到具有上述组成式所表示的组成的上述荧光体的方式、以所期望的比率混合来制备原料混合物的工序,所述第1化合物为选自由钠的氧化物、含氧酸盐及卤化物构成的组中的至少一种,所述第2化合物为选自由上述元素R的氧化物、含氧酸盐及卤化物构成的组中的至少一种,所述第3化合物为选自由上述元素M的氧化物、含氧酸盐及卤化物构成的组中的至少一种;在将上述原料混合物填充于氮化硼制容器中的状态下在硫化氢气氛中在1000℃以下的温度下进行烧成而得到第1烧成物的工序;以及在将上述第1烧成物填充于石英玻璃制容器中的状态下在硫化氢气氛中在900℃以上且高于上述第1烧成工序的烧成温度的温度下进行烧成而得到第2烧成物作为上述荧光体的工序。
具体实施方式
以下,对用于实施本发明的荧光体及其制造方法的方式进行说明。
(荧光体)
实施方式的荧光体具有:
组成式:NaxRMySzOa (1)
所表示的组成。
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