[发明专利]荧光体和其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780008808.6 申请日: 2017-01-31
公开(公告)号: CN108603114B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 碓井大地;竹村博文;松田直寿 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝高新材料公司
主分类号: C09K11/84 分类号: C09K11/84;C09K11/08
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 白丽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 荧光 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种荧光体,其具有组成式:NaxRMySzOa所表示的组成,

式中,R表示选自由Y、La、Gd及Lu构成的组中的至少一种元素,M表示选自由Bi、Ce、Eu及Pr构成的组中的一种元素,x为满足0.93x1.07的原子比,y为满足0.00002y0.01的原子比,z为满足1.9z2.1的原子比,a为满足0.001a0.05的原子比,

其由下述荧光体的制造方法制造而成,所述荧光体的制造方法具备以下工序:

将第1化合物、第2化合物和第3化合物按照可得到具有所述组成式所表示的组成的荧光体的方式、以所期望的比率混合来制备原料混合物的工序,所述第1化合物为选自由钠的氧化物、含氧酸盐及卤化物构成的组中的至少一种,所述第2化合物为选自由元素R的氧化物、含氧酸盐及卤化物构成的组中的至少一种,所述元素R表示选自由Y、La、Gd及Lu构成的组中的至少一种元素,所述第3化合物为选自由元素M的氧化物、含氧酸盐及卤化物构成的组中的至少一种,所述元素M表示选自由Bi、Ce、Eu及Pr构成的组中的一种元素;

在将所述原料混合物填充于氮化硼制容器中的状态下在硫化氢气氛中在800℃以上且1000℃以下的温度下进行烧成而得到第1烧成物的工序,该工序为第1烧成工序;以及

在将所述第1烧成物填充于石英玻璃制容器中的状态下在硫化氢气氛中在900℃以上1100℃以下且高于所述第1烧成工序的烧成温度的温度下进行烧成而得到第2烧成物作为荧光体的工序,该工序为第2烧成工序。

2.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述组成式的元素R包含Gd。

3.一种荧光体的制造方法,其是权利要求1所述的荧光体的制造方法,其具备以下工序:

将第1化合物、第2化合物和第3化合物按照可得到具有所述组成式所表示的组成的所述荧光体的方式、以所期望的比率混合来制备原料混合物的工序,所述第1化合物为选自由钠的氧化物、含氧酸盐及卤化物构成的组中的至少一种,所述第2化合物为选自由所述元素R的氧化物、含氧酸盐及卤化物构成的组中的至少一种,所述第3化合物为选自由所述元素M的氧化物、含氧酸盐及卤化物构成的组中的至少一种;

在将所述原料混合物填充于氮化硼制容器中的状态下在硫化氢气氛中在800℃以上且1000℃以下的温度下进行烧成而得到第1烧成物的工序,该工序为第1烧成工序;以及

在将所述第1烧成物填充于石英玻璃制容器中的状态下在硫化氢气氛中在900℃以上且1100℃以下且高于所述第1烧成工序的烧成温度的温度下进行烧成而得到第2烧成物作为所述荧光体的工序,该工序为第2烧成工序。

4.根据权利要求3所述的荧光体的制造方法,其中,所述钠的含氧酸盐为碳酸钠,所述钠的卤化物为氟化钠。

5.根据权利要求3所述的荧光体的制造方法,其中,所述原料混合物的烧成时间为1小时以上,所述第1烧成物的烧成时间为1小时以上。

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