[发明专利]扁平电缆、扁平电缆的制造方法以及包括扁平电缆的旋转连接器装置有效
| 申请号: | 201780002679.X | 申请日: | 2017-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN108496228B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
| 发明(设计)人: | 松尾亮佑;水户濑贤悟 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社;古河AS株式会社 |
| 主分类号: | H01B7/08 | 分类号: | H01B7/08 |
| 代理公司: | 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) 11418 | 代理人: | 郭红丽;常殿国 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扁平 电缆 制造 方法 以及 包括 旋转 连接器 装置 | ||
1.一种扁平电缆,其特征在于,包括:所需数量的导体、以将所述所需数量的导体夹入其中的方式配置的一对绝缘膜以及设置于所述一对绝缘膜之间的粘接剂层,
当所述导体的弯曲半径在4mm~8mm的范围,并且将弯曲半径设定为X且其单位为mm,将0.2%屈服强度设定为Y且其单位为MPa,将厚度设定为t且其单位为mm,将杨氏模量设定为E且其单位为MPa时,所述导体满足Y≥1.2×t×E/(2X-t),且电导率为50%IACS以上,
所述导体含有:0.1~0.8质量%的锡、0.05~0.8质量%的镁、0.01~0.5质量%的铬、0.1~5.0质量%的锌、0.02~0.3质量%的钛、0.01~0.2质量%的锆、0.01~3.0质量%的铁、0.001~0.2质量%的磷、0.01~0.3质量%的硅、0.01~0.3质量%的银、0.1~1.0质量%的镍中的1种或2种以上,余量由铜以及不可避免的杂质构成,
在所述导体中,粒径小于10nm的晶粒被微细析出。
2.一种扁平电缆,其特征在于,包括:所需数量的导体、以将所述所需数量的导体夹入其中的方式配置的一对绝缘膜以及设置于所述一对绝缘膜之间的粘接剂层,
当所述导体的弯曲半径在4mm~8mm的范围,并且将弯曲半径设定为X且其单位为mm,将0.2%屈服强度设定为Y且其单位为MPa,将厚度设定为t且其单位为mm,将杨氏模量设定为E且其单位为MPa时,所述导体满足Y≥1.2×t×E/(2X-t),且电导率为50%IACS以上,
所述导体含有:0.1~0.8质量%的锡、0.05~0.8质量%的镁、0.01~0.5质量%的铬、0.1~5.0质量%的锌、0.02~0.3质量%的钛、0.01~0.2质量%的锆、0.01~3.0质量%的铁、0.001~0.2质量%的磷、0.01~0.3质量%的硅、0.01~0.3质量%的银、0.1~1.0质量%的镍中的1种或2种以上,余量由铜以及不可避免的杂质构成,
在所述导体中发生再结晶,并且再结晶后的晶粒直径为12μm以下,
所述再结晶后的晶粒被平坦化后,所述晶粒的长径/短径之比为1.5~15。
3.根据权利要求1或2所述的扁平电缆,其特征在于,
在所述扁平电缆的长度方向的中间部分,设有弯曲并折返的折返部;
所述扁平电缆以利用所述折返部维持弯曲的状态被卷紧或开卷;
所述折返部在将弯曲半径维持在4mm~8mm的状态下,伴随折返而被卷紧或开卷。
4.根据权利要求1或2所述的扁平电缆,其特征在于,
所述导体的延伸率小于5%。
5.根据权利要求3所述的扁平电缆,其特征在于,
所述导体的延伸率小于5%。
6.一种扁平电缆的制造方法,是权利要求1至5中任一项所述的扁平电缆的制造方法,其特征在于,
准备所需数量的宽度方向的截面面积为0.75mm2以下的导体;以及
对所述所需数量的导体施加0.3kgf以上的张力,同时,通过粘接剂将所述所需数量的导体夹入一对绝缘膜中。
7.一种旋转连接器装置,包括权利要求1至5中任一项所述的扁平电缆,其特征在于,
在维持8mm以下的弯曲半径的状态下进行20万次的弯曲运动后的所述扁平电缆在长度方向上的0.2%屈服强度,是在所述弯曲运动前在所述长度方向上的0.2%屈服强度的80%以上。
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