[实用新型]一种IGBT驱动电路有效

专利信息
申请号: 201721919022.3 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN207819748U 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 杨志飞 申请(专利权)人: 南京市比亚迪汽车有限公司
主分类号: H02M1/092 分类号: H02M1/092;H02M3/156
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 代理人: 阳开亮
地址: 210000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 第一开关 开关模块 关断 信号控制模块 低压电源 导通 高压电源 本实用新型 导通损耗 工作频率 快速关断 模块接通 驱动电压 输出关断 控制端 输出导 减小 电源 接通 施加 开通 通信
【说明书】:

实用新型提供一种IGBT驱动电路,包括信号控制模块、高压电源、第一开关模块、第二开关模块、低压电源、IGBT模块,信号控制模块输出导通信号时,控制第一开关模块导通,并控制第二开关模块关断,第一开关模块接通高压电源,使IGBT模块导通;信号控制模块输出关断信号时,控制第一开关模块关断,并控制第二开关模块导通,第二开关模块接通低压电源,使IGBT模块关断;为IGBT模块提供适合的开通电源,以减小导通损耗;以及在IGBT模块控制端施加低压电源,使IGBT模块快速关断,加快了关断速度;满足了IGBT模块驱动电压要求较高和工作频率较高的要求。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域,尤其涉及的是一种IGBT驱动电路。

背景技术

目前,现有的驱动方案是基于IGBT模块设计的,适用于的开关频率较低的工作状态,而碳化硅IGBT在工作时的开关频率较高;此外,而碳化硅IGBT驱动电压要求较高,范围一般为-6V~+22V,如果采用现有的驱动电路将使得碳化硅IGBT增大导通损耗;由于碳化硅IGBT对驱动电压和驱动频率要求不同,现有驱动电路并不适用对碳化硅IGBT的驱动。

实用新型内容

本实用新型提供一种IGBT驱动电路,可以提供合适的驱动电压,满足较高的工作开关频率。

本方法的是这样实现的,本实用新型第一方面提供一种IGBT驱动电路,包括:信号控制模块、高压电源、第一开关模块、第二开关模块、低压电源、IGBT模块;

所述信号控制模块的输出端分别与所述第一开关模块的控制端以及所述第二开关模块的控制端连接,所述第一开关模块的输入端连接所述高压电源,所述第二开关模块的输入端连接所述低压电源,所述第一开关模块的输出端和所述第二开关模块的输出端共接于所述IGBT模块的控制端;

所述信号控制模块输出导通信号时,控制所述第一开关模块导通,并控制所述第二开关模块关断,所述第一开关模块接通所述高压电源,使所述IGBT模块导通;

所述信号控制模块输出关断信号时,控制所述第一开关模块关断,并控制所述第二开关模块导通,所述第二开关模块接通所述低压电源,使所述IGBT模块关断。

结合本实用新型第一方面,作为第一方面的第一种实施方式,所述信号控制模块向所述第一开关模块和所述第二开关模块交替输出导通信号和关断信号。

结合本实用新型第一方面的第一种实施方式,作为第一方面的第二种实施方式,所述信号控制模块向所述第一开关模块和所述第二开关模块输出PWM控制信号。

结合本实用新型第一方面,作为第一方面的第三种实施方式,所述第一开关模块为NPN型三极管T1,所述第二开关模块为PNP型三极管;

所述NPN型三极管T1的基极、集电极和发射极为所述第一开关模块的控制端、输入端和输出端;

所述PNP型三极管的基极、发射极和集电极为所述第二开关模块的控制端、输入端和输出端。

结合本实用新型第一方面,作为第一方面的第四种实施方式,所述IGBT驱动电路还包括光耦驱动电路,所述信号控制模块的输出端与所述光耦驱动电路的输入端与连接,所述光耦驱动电路的输出端与所述第一开关模块的控制端以及所述第二开关模块的控制端连接。

结合本实用新型第一方面,作为第一方面的第五种实施方式,所述IGBT驱动电路还包括电阻R1和电阻R2;所述电阻R1的第一端与所述信号控制模块的输出端连接;所述电阻R1的第二端与所述第一开关模块的控制端以及所述第二开关模块的控制端连接;所述电阻R2的第一端与第一开关模块的输出端以及所述第二开关模块的输出端连接;所述电阻R2的第二端与所述IGBT模块的门极连接。

结合本实用新型第一方面,作为第一方面的第六种实施方式,所述IGBT驱动电路还包括有源钳位电路,所述有源钳位电路与所述IGBT模块的门极连接。

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