[实用新型]一种太阳能电池烧结炉有效
申请号: | 201721858110.7 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN207852709U | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 徐华浦;沈晶;王玉涛 | 申请(专利权)人: | 南通苏民新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 226300 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结炉 传输履带 加热管 太阳能电池 电池片 太阳能电池片 本实用新型 加热装置 烧结机构 烧结腔室 峰值区 降温区 烧结区 升温区 光致衰减现象 结构缺陷 上下两侧 使用寿命 顺次相连 退火过程 传输 烧结 贯穿 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池烧结炉,所述的烧结区包括顺次相连的升温区、峰值区和降温区;在烧结区包括至少一个用于烧结太阳能电池的烧结腔室,所述的烧结腔室中设置了烧结机构;所述的烧结机构包括传输履带,所述的传输履带贯穿烧结炉用于传输太阳能电池片,所述的传输履带的传输速率为6.8‑7.5m/min和加热装置,所述的加热装置为设置在传输履带上下两侧的加热管;包括位于升温区的第一加热管,峰值区的第二加热管和降温区的第三加热管。本实用新型通过控制烧结炉中的结构以控制电池片在烧结炉中的退火过程,减少电池片中的结构缺陷,降低电池片的光致衰减现象,以提高太阳能电池片的使用寿命。
技术领域
本实用新型属于太阳能制造设备领域,具体涉及一种太阳能电池烧结炉。
背景技术
太阳能电池技术的发展对经济的发展和利用清洁能源有着重要的作用。但是太阳能在制备过程中,由于存在结构上的缺陷使得在使用过程中会出现由于光致衰减而导致的太阳能的性能急剧下降,影响太阳能的光电转换效率和使用寿命。
诱发太阳能电池发生光致衰减的原因很多,目前被发现的一个原因是光照后在电池片内部形成了复合缺陷,即硼氧复合体。通过减低电池片中氧原子的含量,可以降低此衰减现象,但是受技术水平限制,氧原子总会存在,效率衰减不能完全避免。而且,实际发现即使氧原子含量降到一定水平,仍出现较高衰减现象,说明导致衰减的机理,还有其他原因。
在近期的研究发现,通过调整烧结炉的工艺参数,可以降低太阳能电池衰减现象。例如CN201410692886公开了通过在太阳能电池制造过程采用退火工艺烧结太阳能电池片,采用该工艺能够大大降低所制备的太阳能电池片的衰减现象。
因此本实用新型设计能一种太阳能电池烧结炉,以控制太阳能电池在烧结区的退火过程。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提出一种太阳能电池烧结炉。
实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型通过以下技术方案实现:
一种太阳能电池烧结炉,所述的烧结炉包括依次设置的烘干区和烧结区,所述的烧结区根据太阳能电池片烧结的退火工艺包括顺次相连的升温区、峰值区和降温区;
在所述的烧结区包括至少一个用于烧结太阳能电池的烧结腔室,所述的烧结腔室中设置了烧结机构;
所述的烧结机构包括传输履带,所述的传输履带贯穿烧结炉用于传输太阳能电池片,所述的传输履带的传输速率为6.8-7.5m/min。
和加热装置,所述的加热装置为设置在传输履带上下两侧的加热管;包括位于升温区的第一加热管,峰值区的第二加热管和降温区的第三加热管;
所述的第一加热管和第二加热管的发热功率相同或者不同。
作为本实用新型的进一步改进:
所述的升温区的长度为2600mm-3600mm,包括24-36根第一加热管,第一加热管之间的管间距为53mm-92mm;
所述的峰值区的长度为350mm-900mm,包括18-30根第二加热管,第二加热管之间的管间距为25mm-35mm;
所述的降温区的长度为900mm-1350mm,包括12-18根第三加热管,第三加热管之间的管间距为53mm-92mm。
作为本实用新型的进一步改进所述的第一加热管之间的管间距、或第二加热管之间的管间距、或第三加热管之间的管间距相同或者不同。
作为本实用新型的进一步改进所述的烧结腔室中包括一条或者两条所述的烧结机构。
作为本实用新型的进一步改进所述的烧结腔室在水平方向上或者垂直方向上等间距设置,相邻的两个烧结腔室之间设有隔热层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的