[实用新型]一种片上低温度系数可修调频率RC振荡器有效
申请号: | 201721827046.6 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN207625521U | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 张雷 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 李巨智 |
地址: | 110032 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出端连接 比较器 充放电网络 本实用新型 低温度系数 基准网络 输入端 分压 集成电路制造工艺 晶体振荡电路 反相输入端 工艺兼容性 同相输入端 温度补偿 面积比 功耗 容差 | ||
本实用新型涉及一种片上低温度系数可修调频率RC振荡器,包括分压基准网络、比较器、交叉环振和RC充放电网络;其中分压基准网络的输出端连接比较器的反相输入端,比较器的输出端连接交叉环振的输入端,交叉环振的输出端连接RC充放电网络的输入端,RC充放电网络的输出端连接比较器的同相输入端。本实用新型工艺兼容性好,适合绝大多数集成电路制造工艺,频率大小可以修调,工艺容差较好,温度补偿手段不需要特殊器件,功耗比其他RC振荡电路小,面积比传统晶体振荡电路小。
技术领域
本实用新型涉及集成电路系统领域,具体地说是一种片上低温度系数可修调频率RC振荡器。
背景技术
随着片上集成电路的发展,对系统时钟的精度要求越来越高。片外晶振频率稳定度好绝对精度高,被广泛用于集成电路系统中,但是片外晶振体积大成本高功耗也大。通常情况下芯片采用内部振荡器情况较多,目前内部振荡器普遍采用RC振荡器居多,RC振荡器兼容觉大多数集成电路制造工艺,得到了非常广泛的应用。
在现阶段集成电路制造工艺中,特性尺寸逐渐降低,这对片上RC振荡器的设计提出了新的挑战。RC振荡器是靠RC充放电来实现,因此低特征尺寸意味着电阻R随温度变化更敏感,振荡器的频率随温度变化更大。当温度发生变化时,电容充放电依赖于电阻,RC时间常数将发生巨大变化,振荡器频率直接依赖于时间常数,如果不对电路进行温度补偿振荡频率在全温区内变化将超过10%,在系统中这样频率变化十分不利,迫切的需要一种低温度系数RC振荡器。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供一种片上低温度系数可修调频率RC振荡器。
本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是:
一种片上低温度系数可修调频率RC振荡器,包括分压基准网络、比较器、交叉环振和RC充放电网络;其中分压基准网络的输出端连接比较器的反相输入端,比较器的输出端连接交叉环振的输入端,交叉环振的输出端连接RC充放电网络的输入端,RC充放电网络的输出端连接比较器的同相输入端。
所述分压基准网络包括:
电阻R5一端连接电源VDD,另一端作为分压基准网络的输出端;电阻R6和电阻R7并联后连接在地和分压基准网络的输出端之间。
所述电阻R5和电阻R6为正温度系数电阻,所述R7为负温度系数电阻。
所述比较器有两个,包括第一比较器A1和第二比较器A2;其中第一比较器A1与第二比较器A2的反相输入端相互连接,形成反相公共端,且该反相公共端连接分压基准网络的输出端,第一比较器A1的同相输入端连接MOS管M7的漏极,第二比较器A2的同相输入端连接MOS管M6的漏极。
所述交叉环振包括:
反相器inv1的输入端、MOS管M1的漏极和MOS管M4的栅极连接第一比较器A1的输出端,反相器inv1的输出端连接反相器inv2的输入端,反相器inv2的输出端连接反相器inv5和反相器inv4的输入端,反相器inv4地引脚连接MOS管M3的漏极,MOS管M3的源极接地,反相器inv4的输出端连接反相器inv3的输入端,反相器inv3的输出端连接MOS管M1的栅极,MOS管M1的源极接地,反相器inv5输出端与反相器inv11输入端的公共端连接RC充放电网络中MOS管M5和MOS管M6的栅极公共端,反相器inv11的输出端是clk时钟输出;
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