[实用新型]电致发光器件及显示面板有效
申请号: | 201721804621.0 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN207542279U | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 陈亚文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 方菲 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光器件 发光功能层 辅助电极层 像素界定层 显示面板 堆积区 像素电极层 厚度均匀 不透明 发光区 覆盖透明电极 本实用新型 透明电极层 出光效率 发光器件 功能膜层 均匀发光 不透光 子像素 保证 光色 基板 微腔 像素 遮挡 发光 | ||
本实用新型涉及一种电致发光器件及显示面板。该电致发光器件包括基板、像素电极层、像素界定层、发光功能层、透明电极层和不透明辅助电极层,发光功能层位于像素坑内的像素电极层上,发光功能层包括中间均匀发光区和靠近像素界定层的边缘堆积区;不透明辅助电极层覆盖透明电极层上对应像素界定层和边缘堆积区的区域上。该电致发光器件使发光区的边缘堆积区被不透光辅助电极层遮挡,不参与显示面板的发光,保证发光区位于中间厚度均匀区内,继而保证各子像素的功能膜层厚度均匀,从而保证能够进行有效的微腔调节,提高发光器件的出光效率以及光色等性能。
技术领域
本实用新型涉及显示器领域,特别是涉及一种电致发光器件及显示面板。
背景技术
在信息社会的当代,作为可视信息传输媒介的显示器件的重要性在进一步加强,为了在未来占据主导地位,发光显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点,量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点,是目前显示器件研究的两个主要方向。采用溶液加工制作OLED以及QLED显示器,由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。其中,印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
顶发射型电致发光器件,由于其在显示面板中具有较大的开口率,能有效提高显示面板的性能,是目前的一个重要发展趋势。顶发射型器件通常会通过微腔调节来提高器件性能,微腔调节对于发光层膜厚的均匀性要求较高。现有的印刷工艺制备的发光功能薄膜,在靠近像素界定层的边缘存在材料堆积区,从而导致发光功能膜层的厚度不均,不利于发挥微腔调节来提高器件的出光效率及光色等性能。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种提高微腔调节出光效率和光色等效果的电致发光器件及显示面板。
一种电致发光器件,包括基板、像素电极层、像素界定层、发光功能层、透明电极层和不透明辅助电极层;
所述像素界定层和所述像素电极层设于所述基板上,且所述像素界定层和所述像素电极层配合形成像素坑;
所述发光功能层位于所述像素坑内的所述像素电极层上,所述发光功能层包括中间均匀发光区和靠近所述像素界定层的边缘堆积区;
所述透明电极层设于所述发光功能层和所述像素界定层上;
所述不透明辅助电极层覆盖所述透明电极层上对应所述像素界定层和所述边缘堆积区的区域上。
在其中一个实施例中,所述边缘堆积区的宽度为5~25μm。
在其中一个实施例中,所述不透明辅助电极层为不透明金属导电膜层。
在其中一个实施例中,所述发光功能层至少包括发光层;
所述发光功能层为有机电致发光功能层、量子点发光功能层或钙钛矿发光层。
在其中一个实施例中,所述发光功能层还包括设于所述发光层和所述像素电极层之间的空穴注入层和空穴传输层。
在其中一个实施例中,所述像素电极层为反射电极层。
在其中一个实施例中,所述像素电极层为金属导电膜层;或者
所述像素电极层为第一导电金属氧化物膜层、导电金属膜层和第二导电金属氧化物膜层依次层叠形成的多层导电膜层结构。
在其中一个实施例中,所述透明电极层为厚度10~30nm的导电金属薄膜层。
一种显示面板,包括上述任一项实施例所述的电致发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择