[实用新型]基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯

说明书

本实用新型提供一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯，LED芯片包括：第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极。本实用新型在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯。

背景技术

LED光源在照明领域受到越来越普遍地应用。通常LED光源通过LED发光芯片配合荧光粉发出各种颜色的光。现有技术中，单独的发光芯片只能发出单色的光，若需合成其他颜色的光就需要将不同颜色的发光芯片混合在一起，并填充大量的荧光粉，这样就存在可靠性差、封装难度大的问题。此外，光线入射到荧光粉胶层中会出现强烈的散射现象，使得荧光粉胶层对光线的吸收作用，导致大量光线被反射，即透射过荧光粉层的光线会显著减少。因此，如何设计出一种新型的LED芯片就变得极其重要。

实用新型内容

因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本实用新型提出了一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片，包括：

第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极，其中，

所述公共正电极组件设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件及所述白光发光组件上，所述第一蓝光发光组件负电极、所述第一红光发光组件负电极、所述第一绿光发光组件负电极分别设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件及所述第一绿光发光组件上，所述白光发光组件负极设置于所述白光发光组上。

在本实用新型的一种实施方式中，该芯片还包括：

第一SiO₂隔离壁，设置于隔离所述蓝光发光组件与所述红光发光组件之间；

第二SiO₂隔离壁，设置于隔离所述红光发光组件与所述绿光发光组件之间；

白光隔离壁，设置于隔离所述绿光发光组件与所述白光发光组件之间。

在本实用新型的一种实施方式中，所述白光发光组件包括第二蓝光发光组件、第二红光发光组件、第二绿光发光组件，所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及第二绿光发光组件用于在驱动电压的控制下合成白光。

在本实用新型的一种实施方式中，所述公共正电极组件包括：

第一金属接触层，设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件、所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件上表面；

反光金属层，设置于所述第一金属接触层上；

第二金属接触层，设置于所述反光金属层上；

导电衬底层，设置于所述第二金属接触层上。

在本实用新型的一种实施方式中，所述白光发光组件负极包括：

第二蓝光发光组件负电极，设置于所述第二蓝光发光组件上；

第二红光发光组件负电极，设置于所述第二红光发光组件上；

第二绿光发光组件负电极，设置于所述第二绿光发光组件上。

在本实用新型的一种实施方式中，所述蓝光发光组件依次包括：