[实用新型]一种纳米材料制作设备的离子源及纳米材料制作设备有效
申请号: | 201721645145.2 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN207474413U | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 毕凯 | 申请(专利权)人: | 嘉兴岱源真空科技有限公司 |
主分类号: | H01J49/16 | 分类号: | H01J49/16;H01J37/08;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 姚海波 |
地址: | 314100 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米材料 制作设备 法兰盘 离子源 永磁体 电磁组件 整体磁性 侧面 靶台 可调 字型 制作 | ||
一种纳米材料制作设备的离子源及纳米材料制作设备,其基座的形状呈“几”字型,基座突出的一端位于箱体内,所述法兰盘固定于基座突出的端面上,所述靶台固定于法兰盘远离基座的侧面,所述基座远离法兰盘的侧面设有凹槽,永磁体设置于基座的凹槽内,若干电磁组件分布于永磁体的周围,使得整体磁性可调、可制作多种纳米材料,扩展了纳米材料制作设备的功能。
技术领域
本实用新型涉及材料制作领域,特别是一种纳米材料制作设备的离子源及纳米材料制作设备。
背景技术
溅射法制作纳米材料的方式有:磁控溅射、偏压溅射及反应溅射等。其中磁控溅射的原理为:电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响,被束缚在靠近靶面的等离子体区域内,该区域内等离子体密度很高,二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动。
目前,纳米材料制作设备的离子源包含一永磁体,其磁性大小固定,而制作不同的纳米材料需要不同磁性的离子源,由于永磁体的拆装比较麻烦,通常需要制作不同的纳米材料时就需要更换一台具有不同磁性的离子源的纳米材料制作设备。因此现有的纳米材料制作设备的离子源的功能单一。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种磁性可调、可制作多种纳米材料的纳米材料制作设备的离子源及纳米材料制作设备,以解决上述问题。
一种纳米材料制作设备的离子源,包括所述离子源包括箱体、基座、固定于基座上的法兰盘、固定于法兰盘上的靶台、与法兰盘或基座固定连接的永磁体及若干电磁组件,所述基座上还设有氩气通道,所述基座的形状呈“几”字型,基座突出的一端位于箱体内,所述法兰盘固定于基座突出的端面上,所述靶台固定于法兰盘远离基座的侧面,所述基座远离法兰盘的侧面设有凹槽,所述永磁体设置于该凹槽内,若干电磁组件分布于永磁体的周围,所述法兰盘及靶台上设有氩气开口。
进一步地,所述电磁组件包括铁芯及缠绕在铁芯周围的电磁线圈。
进一步地,所述电磁线圈通过PLC控制器与外部电源连接。
进一步地,所述基座中还设有散热块,所述散热块的周围与基座内之间具有一定的间隙,该间隙与氩气通道及氩气开口均连通。
进一步地,所述氩气开口的形状为喇叭状。
进一步地,所述靶台由石墨材料构成。
本实用新型还提供一种纳米材料制作设备,具有上述的纳米材料制作设备的离子源。
与现有技术相比,本实用新型的纳米材料制作设备的离子源及纳米材料制作设备的基座呈“几”字型,基座突出的一端位于箱体内,所述法兰盘固定于基座突出的端面上,所述靶台固定于法兰盘远离基座的侧面,所述基座远离法兰盘的侧面设有凹槽,永磁体设置于基座的凹槽内,若干电磁组件分布于永磁体的周围,使得整体磁性可调、可制作多种纳米材料,扩展了纳米材料制作设备的功能。
附图说明
以下结合附图描述本实用新型的实施例,其中:
图1为本实用新型实施例的纳米材料制作设备的离子源的侧面剖视图。
图2为图1中的法兰盘、永磁铁及电磁组件的正面示意图。
具体实施方式
以下基于附图对本实用新型的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是,此处对本实用新型实施例的说明并不用于限定本实用新型的保护范围。
请参考图1,其为本实用新型实施例提供的纳米材料制作设备的离子源的侧面示意图。
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