[实用新型]一种对引线框架真空吸附的半导体封装模具的型腔结构

说明书

本实用新型揭示了一种对引线框架真空吸附的半导体封装模具的型腔结构，所述型腔上表面中间区域为真空吸附台，该真空吸附台上根据引线框架上芯片封装单元位置设置有多个吸附区，且每个吸附区内分布有多个非穿透的吸附孔，所述真空吸附台内具有真空通道连通多个吸附孔，且真空通道具有一外接口连通至型腔侧面，所述型腔上表面四周间隔设置有多个真空气孔，且真空气孔底部相互连通，并通过气道连通真空通道，所述型腔上表面的一长侧边间隔设有多条相互平行的真空气槽，该真空气槽为半圆槽，且外端连通至型腔侧面。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装模具，尤其涉及一种对引线框架真空吸附的半导体封装模具的型腔结构。

背景技术

随着电子行业的迅速发展，高密度的QFN/DFN类表面贴装产品越来越广泛的应用。相应的半导体封装模具是其生产过程中的重要组成。由于半导体封装模具的工作温度较高（170~200度），引线框架放入模具后由于温度的影响经常发生翘曲变形，从而影响到产品金线形状及尺寸，而在合模过程中，引下线框架翘曲位置的金线容易触碰到模腔，从而造成金线塌陷变形，影响到产品良品率的问题。

针对以上问题，传统模具在模内设置了真空吸附结构，多以开孔或沟槽的形式来实现，但由于QFN/DFN类引线框架的结构导致这些真空点只能设置在框架四周位置。所以在框架中间位置仍然会有翘曲变形的问题，并且四周由于真空吸附的沟槽及孔的尺寸较大，导致引线框架与其背面的膜之间易发生溢胶到产品管脚上的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种对引线框架真空吸附的半导体封装模具的型腔结构，不仅实现对引线框架四周的吸附，还是下对每个芯片封装单元的中心吸附，防止翘曲变形导致的进行塌陷变形问题。

为实现上述目的，本实用新型提出如下技术方案：一种对引线框架真空吸附的半导体封装模具的型腔结构，所述型腔上表面中间区域为真空吸附台，该真空吸附台上根据引线框架上芯片封装单元位置设置有多个吸附区，且每个吸附区内分布有多个非穿透的吸附孔，所述真空吸附台内具有真空通道连通多个吸附孔，且真空通道具有一外接口连通至型腔侧面，所述型腔上表面四周间隔设置有多个真空气孔，且真空气孔底部相互连通，并通过气道连通真空通道，所述型腔上表面的一长侧边间隔设有多条相互平行的真空气槽，该真空气槽为半圆槽，且外端连通至型腔侧面，所述吸附孔内填充有透气钢。

作为优选，所述吸附区内的吸附孔呈四周等间隔排布，且中心也具有一个吸附孔。

作为优选，多个吸附区内的吸附孔通过横纵相接的的真空通道连通。

作为优选，所述透气钢的硬度为HRC50。

作为优选，每两个吸附区之间的真空气槽为加长气槽，其延伸至两个吸附区之间，且端部具有多个平行的横向气槽，加大吸附面。

与现有技术相比，本实用新型揭示的一种对引线框架真空吸附的半导体封装模具的型腔结构，具有如下有益之处：

在型腔中间区域设置专门的吸附平台，在该吸附平台上根据芯片封装单元的位置设置吸附孔，除了对四周进行吸附外，还对中心区域进行吸附，同时配合引线框架整体四周的真空吸附，可以确保整个引线框架完全贴合型腔表面。

在型腔内部设置真空通道与吸附孔连通，且真空通道相互连通，可以确保每个吸附孔的吸附力一致，而四周的真空气孔底部相互连通，再与真空通道连通，可以确保四周的真空气孔吸附力一致，实现对引线框架的平面吸附，不会存在某一点或某一区域吸附力大而出现翘曲的情况。

吸附孔内填充透气钢，透气钢的孔径小于0.007μm，且其精度为HRC50的材料，可以防止材料硬度不高而引起的塌陷变形，同时不会因为吸附孔孔径过大造成引线框架与其背面的膜之间溢胶。